半导体热电特性综合试验参考讲义.PDF

半导体热电特性综合实验(参考讲义) 热电特性是材料的物理性质中的一个重要方面。本实验学习测量半导体材料热电综 合特性的实验方法及其实验装置，研究了不同材料的热电特性，并学习智能化的综合 测量和数据处理方法。本实验所用方法可用于生产实践，比如家用电器的温度测量与 控制、车用半导体冰箱、航天器上的温差发电等方面。本实验体现了在一个实际的工 程应用中，电学、半导体物理和热学知识的综合作用。 1 ．实验目的 了解半导体热敏电阻、pn 结的电输运的微观机制及其与温度的关系； 了解半导体制冷电堆制冷的原理； 了解半导体热电偶的测温原理； 了解计算机实时采集、处理实验数据； 测量半导体热敏电阻的电压-温度曲线； 测量半导体pn 结的电压-温度曲线； 测量制冷电堆的制冷系数和导热系数（或制冷半导体的塞贝克系数）； 掌握直接或间接用最小二乘法做一元线性回归，拟合得到热敏电阻的温度系数（热敏 指数）和pn 结的禁带宽度。 2 ．实验原理： 2.1．半导体材料的热电特性最为显著，因此，也最常用作温度传感器。一般而言 ，在较大的温度范围内，半导体都具有负的电阻温度系数。半导体的导电机制比较复 杂，起电输运作用的载流子为电子或空穴。载流子的浓度受温度的影响很大，因此半 导体的电阻率受温度影响也很大。随着温度的升高，热激发的载流子数量增加，导致 电阻率减小，因此呈现负的温度系数的关系。但是实际应用的半导体往往通过搀杂工 艺来提高半导体的性质，这些杂质原子的激发，同样对半导体的电输运性能产生很大 的影响。同时在半导体中还存在晶格散射、电离杂质散射等多种散射机制存在，因此 半导体具有非常复杂的电阻温度关系，往往不能用一些简单的函数概括，但在某些温 度区间，其电阻温度关系可以用经验公式来概括，如本实验中用的半导体热敏电阻， 它的阻值与温度关系近似满足下式： 1 1 B ( − ) T T R R e 0 （1） 0 式中R 为T 时的电阻（初值），R 是温度为 T 时的电阻，T 为绝对温度，B 为温度 0 0 系数 （热敏指数）。 B 在工作温度范围内并不是一个严格的常数，但在我们的测量范 围内，它的变化不大。将上式变形得到： 1 ln R B ⋅ +C （2 ） T 1 以ln R 为纵轴， 为横轴做图，直线的斜率即为B 值。 T 2.2 ．pn 结构成的二极管和三极管的伏安特性对温度有很大的依赖性，利用这一点 可以制造pn 结温度传感器和晶体管温度传感器，本实验用的测温元件为二极管温度传 感器。二极管的正向电流I 、电压U 满足下式： I I S (eqU / kT −1) （3 ） 其中q 为电子电荷；k 为玻尔兹曼常数；T 为绝对温度；I s 为反向饱和电流 （和pn 结材 料的禁带宽度以及温度等有关），可以证明[*1] r qU0 I S CT exp(− ) （4 ） KT 其中 C 是与结面积、杂质浓度等有关的常数；r 也是常数；U0 为绝对零度时pn 结材料 的导带底和价带顶间的电势差。 将(4)式代入(3)式，两边取对数可得 KT c KT U U0 −( ln ) − ln T r （5 ）