电模第六章放大电路基础.pptx

半导体三极管共射放大电路共集放大电路与共基放大电路场效应管及其放大电路继承运算放大电路§6.1半导体三极管半导体三极管的结构三极管内部的电流分配与控制三极管的特性曲线三极管的微变等效电路半导体三极管的参数三极管的型号三极管应用图 常见三极管的外形6.1.1 半导体三极管的结构 一侧称为发射区，电极称为发射极，用E或e表示（Emitter）； 双极型半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。 另一侧称为集电区和集电极，用C或c表示（Collector）。 c-b间的PN结称为集电结(Jc) 中间部分称为基区，连上电极称为基极，用B或b表示（Base）；e-b间的PN结称为发射结(Je)双极型三极管的符号中，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。半导体三极管的结构 从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米。IC+IBRCNPNRbVoVCCIEVBB_6.1.2 三极管的工作原理 双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。 若在放大工作状态：发射结加正向电压，集电结加反向电压，如图所示。 现以 NPN型三极管的放大状态为例，来说明三极管内部的电流关系。VcVbVeVCCVBB 在发射结正偏，集电结反偏条件下，三极管中载流子的运动：(1)发射区向基区注入电子：在VBB作用下，发射区向基区注入电子形成IEN，基区空穴向发射区扩散形成IEP。 IEN IEP方向相同VCCVBB(2) 电子在基区复合和扩散 由发射区注入基区的电子继续向集电结扩散，扩散过程中少部分电子与基区空穴复合形成电流IBN。由于基区薄且浓度低，所以IBN较小。(3) 集电结收集电子 由于集电结反偏，所以基区中扩散到集电结边缘的电子在电场作用下漂移过集电结，到达集电区，形成电流ICN。VCCVBB(4) 集电极的反向电流 集电结收集到的电子包括两部分： 发射区扩散到基区的电子——ICN 基区的少数载流子——ICBOVCCVBB三极管各电极的电流关系 IE= IEN+ IEP 且有IENIEP IEN=ICN+ IBN 且有IEN IBN ，ICNIBN IC=ICN+ ICBO IB=IEP+ IBN－ICBOIE =IC+IB3. 三极管的三种组态BJT的三种组态共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示；共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。6.1.3三极管的特性曲线什么叫三极管的特性曲线？ 三极管伏安特性曲线是指三极管各电极电压与各电极电流之间关系的曲线，它是管子内部载流子运动规律的外部体现。1.4.3三极管的特性曲线1、输入特性曲线: (1)是研究当UCE=常数 时，UBE 和iB之间的关系曲 线，用函数关系式表示为:输出回路输入回路输出回路输入回路1、输入特性曲线(1)UBE 和iB之间的关系曲线(2)用 UCE=1V 的输入特性曲线来代表UCE＞1V 所有输入特性曲线(3)输入特性的死区电压： 硅管约为0.5V； 锗管约为0.1V。 发射结正偏导通后： 硅管 UBE=0.7V； 锗管 UBE=0.3V100806040200.20.40.60.81.4.3三极管的特性曲线2、输出特性曲线: (1) 是研究当 iB=常数 时，UCE和iC之间的关系曲线，用函数表示为:输出回路输入回路2、输出特性曲线(2)输出特性曲线,当UCE较小时起始部份很陡，当UCE 略有增加，iC 增加很快，当UCE＞1V 以后，再增加UCE、iC 增加不明显。(3)如改变IB 则得到另一条输出特性曲线。 图 三极管的输入、 输出特性曲线（a） 输入特性曲线; （b） 输出特性曲线4321ICEO0(3)饱和区 区域： uCE ＜0.7v 以左部分 条件：发射结正偏，集电结正偏。uBE0, uBC0 特点：失去放大能力，即iC＝βiB不成立,即iB不能控制iC 的变化。(1)截止区： 区域：iB≤0 输出特性曲线以下的区域为截止区 条件：发射结、集电结均反偏uBE0, uBC0 。 特点：iB = 0时，iC ≈iE=ICEO=0，三极管CE间为开路。(2)放大区 区域：iB＝0 以上多条的输出特性曲线。 条件：发射结正偏， uBE0, 集电结反偏 ， uBC0 特点：(A)有放大特性： iC＝βiB (B)有恒流特性： iC与uCE无关。3、把输出特性曲线划分成三个区饱和区放大区击穿区截止区5101520输出特性曲线总结饱和区——iC受vCE显著控制的区域，该区域内vCE的 数值较小，一般vCE＜0.7 V(硅管)。此时 发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很