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第二章
2.1 。
2.2 (a)导通,截止。(b)导通,截止。(c)导通,截止(d) 导通,截止。
2.4 (a)。(b)。(c)。(d)(e)。(f)。
2.5 (1);;。(2);;。(3);;。
2.6 (a) D截止。(b) D截止。(c)D导通。
2.8 (1)时。时。时。
(2)若时负载开路,稳压管D可能被击穿。稳压管会因所承受的反向电流过大,出现热击穿而被烧毁。
第三章
3.1 (1)(a)电流方向向外,大小为1.01mA;(b)电流方向向外,大小为5mA。
(2) (a);(b)。
(3)(a)该管为NPN型;(b),该管为PNP型。
3.2 (a)为PNP型;(b)为NPN型;(c)为NPN型;(d)为PNP型;(e)为PNP型;(f)为NPN型。
3.4 (a)不能正常放大。(b)无交流放大作用。(c)能够实现交流放大。(d)不能实现交流放大。(e)不能实现交流放大。(f)电路能够正常放大。
3.5 (1);;;。
3.6 (1)当时,的;点的。(2);
3.7 (a)三极管工作在截止区。(b)三极管工作在放大区。(c)三极管工作在饱和区。
3.8 (1)。
(2),,,,,。。
3.9 (1),, 。
(2)、该电路先出现截止失真。刚出现失真时,输出电压的峰-峰值为6V。
(3),,。
(4),,,。
3.10 (1),,。(2)。
(3),,。
(4)产生了截止失真;若使截止失真消失,应该提高静态工作点,减小偏置电阻。
3.11 (a),20℃时电路的静态工作点:,;
55℃时电路的静态工作点:,。
(b),。20℃时电路的静态工作点:,;
55℃时电路的静态工作点:,。
从以上分析可知,分压式偏置电路能够起到稳定静态工作点的作用。
3.12 (1),,,。
(2),,。
(3),,不变,。
(4)若电容开路, 将变小,将变大,输出电阻基本不变。
3.13 (1),(2)右为正,左为正。
(3)当环境温度发生改变时:
3.14 (1)(2)短路时, ,,。
3.15 (1),当时,有,。
(2) ,,。
(3)当稳压管反接时, ,,,;,,。
3.16 (1);。
(2);;。
3.17 (1),,,,。
(3),,,。
3.18 (1),,,。
(2),。(3),。
3.19 ,;
,。
3.20 ,,,。
3.21 ,,。
3.22 (1),,,。
(2)最大不失真输出电压的幅值为5V。
(3), ,。
3.23 (1),,。(2)。
3.24 (1),,。
第四章
4.1 (a)P沟道耗尽型MOS管;(b)N沟道耗尽型MOS管;(c)P沟道结型FET。
4.2 (a)N沟道增强型MOS管,;(b)P沟道增强型MOS管,;(c)N沟道结型FET,。
4.3 (a)截止区;(b)饱和区;(c)可变电阻区;(d)饱和区。
4.4 。
4.5 (a)能;(b)不能,没有形成导电沟道,所以不能正常放大;(c)不能,因为;(d)不能,因为缺少漏极电阻。
4.6 ,,。
4.7 ,,,管子工作在可变电阻区。
4.8 ,,,。
4.9 (2)最大不失真幅度为4.6V。
4.10 (1),,。(2),,
(3)
4.11 ,,。
4.12 ,,。
4.13 接入时:;断开时:;;。
4.14 (1),,。(2),,。
4.15 ,,。
4.16 (1),,。(3)中频放大倍数为1.7008,通频带为458.74MHz,输入电阻为999.997KΩ,输出电阻为1.998KΩ。
第五章
5.1 (1)直接,变压器,光电。(2)负载,信号源内阻,小于AB。(3)共集电极,共发射极,共发射极,共集电极。(4)偏置电路,有源负载。(5)温度变化,差分式放大。(6)差,算术平均值,5V,0.5V,差模,共模。(7)输入,输出。(8)直接,电流源,差分式,共射极,互补输出。
5.2 (1)图(a):
,,;
图(b):
,,
;
图(c):
,,;
图(d):
,,。
(2)第一级产生的是饱和失真,增大电阻(降低静态工作点);第二级产生的是截止失真,减小电阻。
5.3 (1)Q1:,,,,;
Q2:,,,。
(2), 。
(3),,,, ,。
5.4 ,。
5.5 (1)
5.6(1)图(a);图(b),。
(2) , 。
5.7 T3管的接入可以减小基极电流对集电流的影响,减小输出电流与参考电流之间的镜像
误差。
,;,。
5.8 ,。
5.9 ,。
5.10 电流源作有源负载,。
5.11(1)静态工作点
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