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2018-10-13 发布于江苏
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数字电路西安电科大8

* 存储器和可编程逻辑器件总目录退出退出存储器和可编程逻辑器件现场可编程逻辑阵列（FPLA）随机存取存储器存储器容量的扩展 PLD电路只读存储器可编程阵列逻辑（PAL）通用阵列逻辑（GAL）总目录半导体存储器只读存储器（ROM） ROM的结构 ROM的基本结构二极管ROM的结构图退出 1 目录总目录 ROM的数据表 D3 = A1A0 + A1A0 D2 = A1A0 + A1A0 + A1A0 D1 = A1A0 + A1A0 D0 = A1A0 + A1A0 + A1A0 在二极管ROM结构中， W0=A1A0、W1=A1A0、 W2=A1A0、W3=A1A0，因此： D3=W0+W2 D2=W1+W2+W3 D1=W1+W2 D0=W0+W1+W3 退出目录总目录 ⑵ROM的阵列框图 ⑴ROM的阵列图退出目录总目录二进制码转换为格雷码的真值表 G3=∑m（8，9，10，11， 12，13，14，15） G2=∑m（4，5，6，7，8， 9，10，11） G1=∑m（2，3，4，5， 10，11，12，13） G0=∑m（1，2，5，6，9， 10，13，14）退出目录总目录二进制码转换为格雷码的阵列图及逻辑符号图二进制码转换为格雷码的阵列图逻辑符号图退出目录总目录 ROM的编程与分类 ⑴掩模ROM ⑵可编程ROM（PROM） ①熔丝型PROM存储单元 ②PN结击穿法PROM存储单元退出 2 目录总目录 ⑶可察除的可编程ROM（EPROM） ①叠栅注入MOS管（SIMOS）的结构和符号 ②E PROM的存储单元、Flotox管的结构和符号 E PROM的存储单元 Flotox管的结构和符号 2 2 退出目录总目录 ③快闪存储器（Flash Memory）叠栅MOS管存储单元退出目录总目录随机存取存储器（RAM）静态随机存储器（SRAM） ① SRAM的基本结构退出目录总目录 ② SRAM的静态存储单元六管NMOS存储单元六管CMOS存储单元退出目录总目录存储器容量的扩展 ⒈位数的扩展退出目录总目录 ⒉字数的扩展退出目录总目录低密度可编程逻辑器件 ⒈PLD电路的基本结构 ① PLD的基本结构 ② 四种PLD的结构特点退出可编程逻辑器件目录总目录 ③ PLD阵列结构图 PROM结构 FPLA结构 PAL和GAL结构退出目录总目录例：用FPLA实现四位二进制码转换为格雷码的代码转换电路。解：输出表达式为 G3=B3 G2=B3B2+B3B2 G1=B2B1+B2B1 G0=B1B0+B1B0 FPLA的阵列图退出目录 ⒉现场可编程逻辑阵列（FPLA）总目录例：用FPLA和JK触发器实现模4可逆计数器。当X=0 时加法计数；X=1减法计数。解：⑴ 画出状态图。 ⑵ 求激励方程和输出方程。 J1=K1=1 J2=K2=XQ1+XQ2 Z=XQ2Q1+XQ2Q1 ⑶ 画出时序FPLA阵列图。退出目录总目录 ⒊可编程阵列逻辑（PAL） PAL输出结构 ① 专用输出结构 ② 可编程I/O结构 ③ 寄存器输出结构 ④ 异或型输出结构 ① 退出目录总目录 ② ③ ④ 退出目录总目录 ⒋通用阵列逻辑（GAL） ① GAL的基本结构退出目录总目录 ② 输出逻辑宏单元（OLMC） ⑴OLMC的结构退出目录总目录 *