X波段单级氮化镓固态放大器--西安电子科技大学.pdfVIP

( ) 2009 年 12 月 西安电子科技大学学报 自然科学版 Dec . 2009 第 36 卷 　第 6 期 　 J OU R N AL 　O F 　X I D I A N 　U N IV E R S I T Y 　 Vol . 36 　No . 6 X 波段单级氮化镓固态放大器 陈 　炽 , 郝 　跃 , 冯 　辉 , 马 晓华 , 张进 城 , 胡仕 刚 (西安电子科技大学 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 ,陕西 西安 　7 1007 1) 摘要 : 利用自主研制的 SiC 衬底的栅宽为 25 mm 的 Al GaN/ GaN H EM T 器件 ,设计完成了单级 X 波 段氮化镓固态放大器模块. 模块由Al GaN/ GaN H EM T 器件 、偏置电路和微带匹配电路构成. 采用金属 腔体和测试夹具 ,保证在连续波下具有 良好的接地和散热性能. 利用双偏置电路馈电,并且采用独特的 电容电阻网络和栅极串联电阻消除了低频和射频振荡. 利用微带短截线完成了器件的输入输出匹配. 在 ( ) 8 GHz频率及连续波情况下 直流偏置电压为V ds = 27 V , V gs = - 40 V ,放大器线性增益为56 dB ,最大 效率为 305 % ,输出功率最大可达4025 dBm ( 105 W) ,此时增益压缩为2 dB . 在带宽为500 M Hz 内,输 出功率变化为1 dB . 关键词 : Al GaN/ GaN H EM T ; 固态放大器模块 ;饱和输出功率 ;增益压缩 ;功率附加效率 中图分类号 : TN 325 + . 3 　　文献标识码 :A 　　文章编号 :100 12400 (2009) Xband single stage Ga N sol idstate power a mpl if ier C H E N Chi , H A O Yue , F E N G H ui , M A X i aoh ua , Z H A N G J i ncheng , H U S h ig ang (Mini st ry of Education Key L ab . of Wide BandGap Semiconductor Mat erial s and Devices , Xidian U niv . , Xi’an 　7 1007 1 , China) Abstract : 　Ba sed on t he selfdevelop ed Al GaN/ GaN H EM T wit h 25mm gat e widt h t echnology on t he SiC sub st rat e , t he Xband GaN solidst at e power amplifier module i s fabricat ed . The module con si st s of t he