硅NPN平面晶体管工艺参数设计与管芯制造.docVIP

硅NPN平面晶体管工艺参数设计及管芯制造 作者：第一组 田野 0442023050 指导老师：袁 菁 摘 要：对给定放大倍数为50、击穿电压我50-80V的NPN型晶体管的设计，制造。由于是给定的N型衬底，击穿电压主要由浓度低的一端决定，所以，这里的击穿电压是基本确定了的，不用去再做设计。这里主要是对放大倍数的设计，放大倍主要由基极和发射极的性质决定，主要是设计基极、发射极的浓度和深度。制造时，主是控制基区和射区扩散的时间的温度，以使之达到我们所希望的浓度和深度。 关键词：晶体管纵向结构参数设计 晶体管版图设计 一次氧化 一次光刻 硼扩散—预沉积 硼扩散—再分布 二次光刻 磷扩散及测试 平面工艺历史及在微电子技术发展中的作用 集成电路的发展历史应该追溯到1947年12月晶体管的发明。1947年12月美国贝尔实验室的巴丁和布拉顿制作出第一只点接触型半导体晶体管，观测到放大现象，在这项发明中肖可莱也起到了重要作用。1948年1月肖可莱又提出了结型双极晶体管的理论，并于1951年制作出结型晶体管。他们3人因此在1956年获得诺贝尔物理学奖。晶体管的发明揭开了半导体器件的神秘面纱引发了一次新的技术革命，使人类社会步入了电子时代。 1958年美国德州仪器公司的基尔比在半导体Ge衬底上形成台面双极晶体管和电阻等元器件，并用超声波焊接的方法将这些元器件通过金丝连接起来，形成一个