微电子学概论ch8光电子器件1.pptxVIP

光电子器件光电子器件：光子和电子共同作用的半导体器件发光器件：将电能转换为光能发光二极管(Light Emitting Diode，缩写为LED)半导体激光器光电探测器：利用电子学方法检测光信号的太阳能电池：将光能转换为电能OUTLINE固体中的光吸收和光发射半导体发光二极管半导体激光器光电探测器半导体太阳能电池光具有波粒二象性 在固体中，光子和电子之间的相互作用有三种基本过程：光吸收自发发射受激发射两个能级之间的三种基本跃迁过程(a) 吸收 (b) 自发发射 (c) 受激发射固体中的光吸收和光发射光电效应光电效应 用光照射某一物体，可以看做是一连串能量光子轰击在这个物体上，此时光子能量就传递给电子，并且是一个光子的全部能量一次性地被一个电子所吸收（根据爱因斯坦假设），电子得到光子传递的能量后其能态发生变化，从而使受光照射的物体产生相应的电效应，把这种物理现象称为光电效应。光吸收（内光电效应）光发射（外光电效应）光吸收（内光电效应） 当光照射在物体上，使物体的电阻率ρ发生变化，或产生光生电动势的现象叫做内光电效应，它多发生于半导体内。光电导效应 在光线作用，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，引起载流子的激发，而引起材料电导率的变化，这种现象被称为光电导效应。基于这种效应的光电器件有光敏电阻。过程：当光照射到半导体材料上时，价带中的电子受到能量大于或等于禁带宽度的光子轰击，并使其由价带越过禁带跃入导带，使材料中导带内的电子和价带内的空穴浓度增加，从而使电导率变大。导带自由电子所占能带Eg禁带不存在电子所占能带价带价电子所占能带光I P N 光电池的工作原理示意图光生伏特效应 在光线作用下能够使物体产生一定方向的电动势的现象叫做光生伏特效应。 基于该效应的光电器件有半导体太阳能电池。 以PN结为例，光线照射PN结时，设光子能量大于禁带宽度Eg，使价带中的电子跃迁到导带，而产生电子空穴对，在耗尽层内电场的作用下，被光激发的电子移向N区外侧，被光激发的空穴移向P区外侧，从而使P区带正电，N区带负电，形成光电动势。固体中的光吸收过程本征吸收(a,b)非本征吸收(c) 激子吸收 自由载流子吸收晶格吸收杂质吸收光发射（外光电效应） 在光线的作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应。向外发射的电子叫做光电子。 基于外光电效应的光电器件有半导体发光二级管、光电管、光电倍增管等。光发射的前提条件：由于电子从高能级向低能级跃迁时，释放出的能量以光子的形式存在，当电子处于高能级时，系统往往处于不稳定状态（激发能级）。光发射的方式自发发射受激发射发光器件 发光二极管：靠注入载流子自发复合而引起的自发辐射；非相干光半导体激光器则是在外界诱发的作用下促使注入载流子复合而引起的受激辐射；相干光，具有单色性好、方向性强、亮度高等特点 受激辐射和自发辐射产生的光的特点不同 受激辐射光的频率、相位、偏振态和传播方向与入射光相同，这种光称为相干光。 自发辐射光是由大量不同激发态的电子自发跃迁产生的，其频率和方向分布在一定范围内，相位和偏振态是混乱的，这种光称为非相干光。 半导体中导致光辐射的非平衡载流子复合半导体中导致光辐射的几种非平衡载流子复合过程非平衡载流子：处于激发状态的少数载流子。OUTLINE固体中的光吸收和光发射半导体发光二极管半导体激光器光电探测器半导体太阳能电池半导体发光二级管半导体电致发光有着悠久的历史1907年观察到电流通过硅检波器时发黄光现象1923年在碳化硅检波器中观察到类似的现象1955年观察到III-V族化合物中的辐射1961年观察到磷化镓pn结的发光60年代初期GaAs晶体制备技术的显著发展1962年制成GaAs发光二极管和GaAs半导体激光器异质结的发展对结型发光器件性能的提高也起了很大的推进作用半导体发光二级管工作原理：（电致发光器件）在正向偏置的PN结中，依靠非平衡少数载流子注入作用，使电子和空穴分别注入p区和n区，非平衡少子与多子复合时，以辐射光子的形式将多余能量转变成光能。非平衡载流子：处于激发状态的少数载流子。发光过程：正向偏置下的载流子注入复合辐射光能传输正向偏置下的载流子注入及复合辐射（以同质PN结为例）正向偏置时的pn结能带图扩散电流导致发光二极管辐射复合的主要电流。辐射效率（内量子效率）产生辐射的电流在总扩散电流中的比例与pn结内部的掺杂浓度有关发光二极管中PN结上的光子发射发光二极管中pn结上的光子发射示意图外量子效率与内量子效率相比，其值非常小外电子效率对二极管的放光效率非常关键半导体发光二级管的材料具备的条件：具有合适的禁带宽度Eg可获得电导率高的n型和p型晶体晶体的完美性好发光的辐射复合几率大OUTLINE固体中的光吸收和光发射半导体发光二极管半导体激光器光电探测器半导体