2018带试题复习笔记考试版讲义教材.ppt

期终考试规范;CMP：化学机械抛光 SSI：小规模集成电路 MSI：中规模集成电路 LSI：大规模集成电路 VLSI：超大规模集成电路 ULSI ：特大规模集成电路 LOCOS：局部硅氧化隔离 NVSM：非挥发性存储器 DRAM：动态随机存取存储器 SRAM：静态随机存取存储器 LDD：轻掺杂漏极工程 MEMS：微机电系统 DOF：焦深;第2章 晶体生长图2-1 从初始原料到抛光硅片的基本工艺流程;2.1 从熔体生长硅单晶;2.1.3 杂质分布;黄君凯 教授;黄君凯 教授;黄君凯 教授;黄君凯 教授;黄君凯 教授;黄君凯 教授;黄君凯 教授;黄君凯 教授;黄君凯 教授;第3章 硅氧化;（2） 膜结构 　　热氧化生成的 膜属于非晶态结构。 　　湿氧化结构比干氧化结构稀疏。 　　由于干氧化膜质量远优于湿氧化膜，故制备厚度相当薄的高质量栅氧化层则采用干氧法 　　湿氧化速率远高于干氧化 ;黄君凯 教授;（4）结果讨论 线性率常数 具有 形式（ 为激活能），并取决于单晶硅晶向。 【实验结果】 具有激活能函数形式，且 。 （接近 键能 ） 【推论】由于 与氧原子和硅晶格反应速率 有关，也即与硅表面键结构有关，从而 与晶向有关；由于111晶面键密度比 100晶面更高，故111晶面 的值 更大。;抛物线率常数 具有 形式，并与晶向无关。 【实验结果】 具有激活能函数形式，且 接近氧在 中的扩散激活能 ； ，接近水在 中的 扩散激活能 。 【推论】 与氧化剂在 中的随机扩散有关，从而与单晶硅晶向无关。 ;黄君凯 教授;黄君凯 教授;黄君凯 教授;黄君凯 教授;黄君凯 教授;黄君凯 教授;黄君凯 教授;黄君凯 教授;黄君凯 教授;黄君凯 教授;黄君凯 教授;4.2 下一代光刻方法;（2）特征 优势: — 无需掩模在晶片上直接形成图像 — 精密化自动控制操控 — 良好的焦深长度 — 生成亚微米抗蚀剂图形 劣势： — 生产效率较低 ( ) 【结论】 采用符合加工器件最小尺寸的最大束径;（3）电子束光刻扫描方式：光栅扫描和矢量扫描 （4）电子束外形 — 高斯点束流（圆形束流） — 可变形状束流 — 单元投影;（5）电子抗蚀剂 正性（PMMA，PBS）：聚合物与电子相互作用，引起化学键断裂成 小分子段，并溶解于显影液。 负性（COP）：电子辐射诱发聚合物交联，形成高分子量材料，而不 溶解于显影液。;4.2.2 极短紫外光刻（EUV） 4.2.3 X射线光刻（XRL）：1nm 　【注意】 XRL的抗蚀剂相当于接收大量二次电子辐照，故可使用电子抗蚀剂。 4.2.4 离子束光刻 ;4.2.5 各种光刻方法比较：混合匹配使用;第 5 章 刻 蚀;选择比 两种不同材料刻蚀速率之比，描述图形转移中各层材料的相互影响。 均匀性 5.1 湿法化学腐蚀 湿法化学腐蚀机理：反应物通过扩散输送到反应表面；化学反应发生在表面层；表面层的生成物通过扩散除去。 湿法化学腐蚀方式： 浸没式腐蚀和喷淋式腐蚀 湿法化学腐蚀的最大缺陷就是掩模正下方的材料层过蚀刻结果损失了刻蚀图形的分辨率。;5.1.1 硅的腐蚀 5.1.2 氧化硅的腐蚀氧化腐蚀缓冲液（BOE） 5.1.3 氮化硅和多晶硅的腐蚀 5.1.4 铝的腐蚀 　去离子水（DI） 5.1.5 砷化镓的腐蚀 ;黄君凯 教授;黄君凯 教授;黄君凯 教授;黄君凯 教授;黄君凯 教授;黄君凯 教授;黄君凯 教授;黄君凯 教授;黄君凯 教授;黄君凯 教授;黄君凯 教授;黄君凯 教授;黄君凯 教授;黄君凯 教授;黄君凯 教授;黄君凯 教授;黄君