第七讲-薄膜材料的等离子体辅助CVD制备技术.pptVIP

第七讲 薄膜材料的等离子体辅助CVD制备技术 Preparation of thin films by plasma enhanced CVD （PECVD) processes 提 要 等离子体的一般性质 等离子体辅助CVD的机理和特点 等离子体辅助的CVD方法 等离子体辅助化学气相沉积（PECVD) PECVD 的主要优点 薄膜 PECVD 低温沉积的主要优点 PECVD方法存在的问题 PECVD薄膜沉积均匀性的条件 PECVD薄膜沉积过程的数学模拟 第六讲 小结 薄膜的CVD过程可以由等离子体辅助来实现 PECVD的主要特点是它可以有效降低CVD过程的温度 各种辉光、甚至弧光放电过程都可以被用于PECVD 直流、射频、微波激励手段都可被用于PECVD 基本概念复习 等离子体中电子所涉及的微观过程 等离子体的一般性质 PECVD 技术的主要优点 PECVD 涉及的主要微观过程 各种等离子体的产生方法和相应的 PECVD 技术简况 PECVD 方法的局限性 思 考 题 查阅文献，找出由SiH4沉积Si的典型的CVD温度和PECVD温度，并对造成两种工艺异同点的原因进行讨论。 讨论热CVD过程和PECVD过程在薄膜沉积均匀性方面可能出现的差异。 比较使用电容耦合式的射频PECVD方法制备Si薄膜时，薄膜在生长过程中受到离子轰击的可能性 讨论热丝辅助CVD和一般PECVD的异同点 目前，SEM已经成为材料研究的重要（最重要）工具。 与光学显微镜相比，两个特点： 1）放大倍率范围大（10-100,1000），相对光镜 的约2000倍 2）景深提高约300倍 X-射线分为： 荧光x-射线（特征谱），与元素有关， 用于分析成分，即电子探针功能 连续谱 X-射线的检测方法有二： 1）EDX： 用检测器 限于分析11（Na）或5（B）号以上元素， 灵敏度达0.1%，有时相近元素峰峰相互重叠。 分析速度快 2）WDX：用检测器 可分析11（Na）或5（B）号以上元素， 灵敏度达0.01%。可分辨相近元素 分析速度慢 目前，SEM已经成为材料研究的重要（最重要）工具。 与光学显微镜相比，两个特点： 1）放大倍率范围大（10-100,1000），相对光镜 的约2000倍 2）景深提高约300倍 目前，SEM已经成为材料研究的重要（最重要）工具。 与光学显微镜相比，两个特点： 1）放大倍率范围大（10-100,1000），相对光镜 的约2000倍 2）景深提高约300倍 目前，SEM已经成为材料研究的重要（最重要）工具。 与光学显微镜相比，两个特点： 1）放大倍率范围大（10-100,1000），相对光镜