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化合物半导体材料生长与表征 2016春季 氮系化合物及其外延生长 N系化合物 N系化合物 N系化合物 N系化合物 氮化物半导体晶体材料存在六方纤锌矿（wurtzite ）和 立方闪锌矿（zinc-blende）两种不同的晶体结构 GaN a轴：0.3189nm c轴：0.5185nm 0.451nm 热力学稳态结构 亚稳态结构 N系化合物 氮化物材料的极化效应 非中心对称晶体，晶体具有极轴，纤锌矿结构氮化物的极轴即c轴。氮化物半导 体由于III族原子和N原子之间的化学键具有很强的极性，存在强烈的自发极化效应。 在GaN材料中，由于晶格常数比c/a小于理想因子1.633，导致极化矢量P 大于极