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变压器介损及电容量测试 1 试验目的 介质损耗角正切值又称介质损耗因数或简称介损，它是在交流电压作用下，电介质中的电流有功分量与无功分量的比值，是一个无量纲的数。它反映电介质内单位体积中能量损耗的大小，它与电介质的体积尺寸大小无关。测量介质损耗因数是一项灵敏度很高的试验项目，它可以发现电力设备绝缘整体受潮、劣化变质以及小体积被试设备贯通和未贯通的局部缺陷。 变压器介损及电容量测试 1 试验目的 某台变压器的套管，正常tanδ值为0.5%，而当受潮后tanδ值为3.5%，两个数据相差7倍；而用测量绝缘电阻检测，受潮前后的数值相差不大。由于测量介质损耗因数对反映上述缺陷具有较高的灵敏度，所以在电工制造及电力设备交接和预防性试验中都得到了广泛的应用。 变压器介损及电容量测试 2 试验的局限性 有的设备，尽管测得的总体绝缘的介损tanδ值很小（从总体平均来看），但是局部缺陷的损失可能很大而不能发现。 变压器介损及电容量测试 3 介损仪的种类 西林电桥（QS1、QS3型高压交流平衡电桥） M型介质试验器（2500伏介质试验器，不平衡电桥） 新型全自动抗干扰电桥（济南泛华电桥、金迪电桥、泛科电桥、康申电桥等等） 变压器介损及电容量测试 4 各种电桥的的原理 QS1电桥：调节R3、C4使电桥平衡，此时a、b两点电压相等，即R3、C4两端电压相等。 变压器介损及电容量测试 4 各种电桥的的原理 M型电桥：将试品改为并联模型。注意到Ir与Icx、Icn差90度。 调节R4使Uw最小。这时IcnR4=IcxR3, Uw=IrR3，因此 由于a、b间电压没有完全 抵消，因此M型电桥也称为 不平衡电桥。Uw测量的是绝 对值，小介损时电压很低， 难以保证测量精度。 变压器介损及电容量测试 4 各种电桥的的原理 数字电桥：数字电桥的测量回路还是一个桥。R3、R4两端的电压经过A/D采样送到计算机。 进一步可求得试品介损和电容量。 ??? 数字电桥的最大优势在于：可 以实现自动测量，可以补偿所有 原理性误差，没有复杂的机械调 节部件，测量以软件为主，性能十分稳定。 变压器介损及电容量测试 5 试验项目 绕组连同套管的tanδ和电容值 电容型套管的tanδ和电容值 变压器介损及电容量测试 5 试验项目 绕组连同套管的tanδ和电容值 一次引线全部拆开 将被试绕组短接接地充分放电 被试绕组需首末端短接后加压 施加电压 绕组电压10kV以上：10kV 绕组电压10kV以下：Un 介损仪的高压屏蔽端均悬空 变压器介损及电容量测试 5 试验项目 变压器介损及电容量测试 5 试验项目 变压器介损及电容量测试 5 试验项目 绕组连同套管的tanδ和电容值 不拆一次引线 将被试绕组短接接地充分放电。 被试绕组需首末端短接后加压。 施加电压 绕组电压10kV以上：10kV 绕组电压10kV以下：Un 变压器介损及电容量测试 5 试验项目 变压器介损及电容量测试 5 试验项目 变压器介损及电容量测试 5 试验项目 电容型套管的tanδ和电容值 拆开套管末屏接地片（线） 与被试套管相连的所有绕组端子短接后接介损测试仪高压端，其余绕组端子均接地，套管末屏接介损测试仪，正接线测量 施加电压10kV 变压器介损及电容量测试 5 试验项目 变压器介损及电容量测试 5 试验项目 电容型套管的tanδ和电容值 如果电容型套管末屏对地绝缘电阻小于1000 MΩ，应测量末屏对地的tanδ。 套管末屏接介损测试仪高压端，与被试套管相连的所有绕组端子短接后接介损测试仪屏蔽端，加压2kV，采用反接屏蔽法测量。 变压器介损及电容量测试 5 试验项目 变压器介损及电容量测试 6 试验数据分析 不同温度下的tanδ值一般按下式换算 式中tanδ1、tanδ2分别为温度t1、t2时的 tanδ值 将所测得的tanδ换算到同一温度，并与出厂、交接、历年数值进行比较；与同型设备、同一设备相间比较。比较结果均不应有明显差异。 变压器介损及电容量测试 7 判断标准 绕组连同套管的tanδ和电容值 20℃时tanδ不大于下列数值 500kV：0.6%； 110～220kV：0.8%； 35kV：1.5% 变压器介损及电容量测试 7 判断标准 电容型套管的tanδ和电容值 20℃时的tanδ值不应大于下表数值： 变压器介损及电容量测试 7 判断标准 电容型套管的tanδ和电容值 电容型套管的电容值与出厂值或上一次试验值的差别超出±5时％，应查明原因。 套管末屏对地的介损不应大于2%。 变压器介损及电容量测试 8 影响tanδ的因素 试验电压的影响 良好绝缘的ta