Lammps-石墨烯实例.pdfVIP

一、 简介 1. SiC 热分解制备石墨烯 自2004 年Novoselov 、Geim 和合作者们从石墨上剥离出世界上第一种二维材料— —单层石墨：石墨烯（Graphene ）以来，石墨烯就受到了科技界的广泛重视[1]。Novoselov 和Geim 两人因此在2010 年获得了诺贝尔物理学奖。因为石墨烯的独特特性，在许多 技术领域例如光电子学上它都被寄予厚望。研究石墨烯这种材料相关的物理化学特性 和发展大面积、高质量生长石墨烯的技术，同时将其与器件物理学联系起来是我们研 究和应用石墨烯的必由途径。 石墨烯是由碳元素组成的二维六边形材料，其在光学、电学、热学、力学等性质十 分优异。它有可能在后摩尔定律时代成为硅（Silicon ）的继任者，在单分子气体传感器 [2]、自旋电子学[3]、量子计算[4]、太赫兹振荡器[5]等等领域发挥重要作用。如今，从 石墨上剥离出石墨烯仍然是一种重要的石墨烯制备方方法。然而，这种方法产生的石 墨烯大小通常不超过1000 μm2 ，只适合实验室研究，尚不能在工业上大规模应用。科 学家发展了其他的石墨烯制备方法，包括将石墨烯视作一种薄膜来生长的化学气相沉 积（Chemical Vapor Deposition, CVD ）法、热分解碳化硅法（SiC thermal decomposition ）、 氧化石墨烯还原法（Graphene oxide reduction ）等。 CVD 法通过使含碳气源在有催化作用的金属表面分解或者使溶入到这些有催化作 用的金属中的碳（C ）发生表面偏析，使得在金属表面生成石墨烯或者多层石墨烯（Few- Layer Graphene, FLG ）。能否直接在半导体/绝缘体上生长石墨烯呢？碳化硅热分解成功 的解决了这一问题。最早试图使六方晶系的SiC 晶体石墨化的研究报告见于1961 年， Badami 在高温和真空环境下得到了发生了一定石墨化的SiC[6] 。在一定的退火条件下， SiC 晶体表面发生热分解，Si 原子发生解吸附，而C 原子留下来重新排列和组合可以 生长成外延型的石墨烯层[7] 。更细致的研究发现用热退火的方法在六方SiC 的Si 面上 生长的石墨烯比C 面有更好的可控性，例如：可以更好的控制石墨烯的层数。Si 面上 生长的石墨烯生长方向与基底晶体结构有密切关系，这样提供了在基底上均匀覆盖和 特定方向生长石墨烯的可能性。特别地，石墨烯直接生长在半导体 SiC 上使得我们无 1 须将石墨烯转移到其他绝缘体上就可直接使用。 Huang 等根据 STM 观察到的现象提出了 SiC 热分解法生长石墨烯的重要模型： Bottom-up 生长模型[8] 。SiC 刚开始热分解的过程中Si 原子发生解吸附，剩下的C 原 子发生（6 √3 ×6 √3 ）R30º的结构重排。虽然，这层C 原子层与石墨烯有着类似的原 子排布，但它并不是石墨烯层。原因是这层C 原子层与下层SiC 发生较强的共价耦合 作用，它已经失去了石墨烯的诸多优异特性。当热分解的过程继续，下层的Si-C 键继 续断裂，Si 原子继续挥发掉，下层的C 原子继续发生（6 √3 ×6 √3 ）R30º结构重排。 此时，先前生成的与SiC 结合在一起的C 原子层被新形成的C 原子层顶了上去，脱离 了SiC 基底的作用。这层C 原子层在结构和物理化学性质上与从石墨上剥离出的石墨 烯较为相似，这样就生成了单层石墨烯。如果 SiC 热退火的过程继续，以上描述的过 程还会生成新的过渡层，从而第一层过渡层现在就变成了双层石墨烯的上层。Bottom- up 生长模型较好的解释了目前SiC 热退火生长石墨烯的过程。 2. SiC 介绍 与单晶Si 类似，SiC 是一种Si 与C 以共价键相键结而成的半导体化合物。在这种 晶体中，每1 个Si 与周围4 个C 以共价键连接形成四面体，在这种SiC 晶体中存在两 种四面体结构( 图1)。第一种SiC 结构可以通过另一种SiC 结构沿c 轴旋转180°得到， c 轴指Si-C 双原子层的法向方向。在每一层Si 原子(或C 原子)上，原子排列都是六方 密排结构。在垂直c 轴的Si-C 双层原子上，共有3 种不同的占位，分别为A,B,C 。 图1 SiC 的两种四面体结构 以上述3 种占位的双原子层分别沿c 轴以一定周期排列形成特定的 SiC 同构异形 体。例如，在3C-SiC 中，双原