重大专项申报指南.PDFVIP

附件1 2018～2019 年 “第三代半导体材料与器件” 重大专项申报指南 根据省委和省政府有关工作部署，结合国家和省“ 十三 五”科技创新规划确定的目标、任务和重点领域，以国家战略 和广东产业发展需求为牵引，按照全链条部署、一体化推进 思路和专项实施方案的要求，瞄准国际最前沿，集中力量联 合研发关键核心技术，制定行业标准，取得若干标志性成果， 特制定 2018 ～2019 年度第三代半导体材料与器件重大专项 申报指南。2018～2019 年度指南共设置7 个专题，每个申报 项目需要覆盖专题全部内容，均需产学研联合申报，采用竞 争性评审、无偿资助方式。 专题一：6-8 英寸4H-SiC 衬底产业化关键技术研究 研究内容：面向SiC 电力电子器件和微波器件的需求， 研制出高质量6-8 英寸n 型和半绝缘SiC 衬底，突破制约SiC 衬底成品率的关键技术，形成我国具有自主知识产权的 6-8 英寸低缺陷高品质SiC 衬底产业化制备成套关键技术。开展 6-8 英寸 SiC 温场精确控制技术和扩径生长技术研究；突破 位错、微管、夹杂物等缺陷降低技术；开展6-8 英寸SiC 单 晶材料杂质控制技术、电阻率控制技术及电阻率均匀性控制 技术研究；开发6