原创力文档- 1、本文档共5页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
s8050pdf资料
Production specification
Formosa Ms.
Silicon Epitaxial Planar Transistor S8050
FEATURES
High Collector Current.(I = 500mA）
C
Complementary To S8550.
Excellent HFE Linearity.
High total power dissipation.(P =300mW)
C
APPLICATIONS
High Collector Current.
SOT-23
ORDERING INFORMATION
Type No. Marking Package Code
S8050 J3Y SOT-23
MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V
VEBO Emitter-Base Voltage 5 V
Collector Current -Continuous
IC 500 mA
PC Collector Dissipation 300 mW
T T Junction and Storage Temperature -55~150 ℃
j, stg
Production specification
Formosa Ms.
Silicon Epitaxial Planar Transistor S8050
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified
Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT
Collector-base breakdown voltage V I =100μA,I =0 40
文档评论（0）