光电检测技术及应用（第2版）徐熙平-第2章 光电效应201607.pptVIP

* * * * * * * * * 第2章 光电效应 非平衡状态下的PN结 1、当V=0时，即平衡态 2、当V0时，即在PN结上加正向电压， 此时 说明载流子浓度增加,增加的载流子形成结的正向电流。 3、当V0时，即在PN结上加反向电压， 此时 这说明载流子浓度减少，减少的载流子形成结的反向电流。 正向PN结能带图 二、半导体物理基础 第2章 光电效应 6、半导体对光的吸收 物体受光照射，一部分光被物体反射，一部分光被物体吸收，其余的光透过物体。那些被物体所吸收的光，将改变物体的一些性能。 （1）本征吸收 半导体材料吸收光的原因，在于光与处在各种状态的电子、品格原子和杂质原子的相互作用。其中最主要的光吸收是由于光子的作用使电子由价带跃迁到导带而引起的，这种吸收就称为本征吸收。 本征吸收的条件： 本征吸收长波限： ≤ 二、半导体物理基础 第2章 光电效应 （2）杂质吸收 处于杂质能级中的电子与空穴，也可以引起光的吸收。N型半导体未电离的杂质原子，吸收光子能量 大于电离能 ，则杂质原子的外层电子将从价带跃入导带，成为自由电子；P型半导体吸收光子能 大于 ，则价电子产生电离，成为空穴，即称杂质吸收。 不同的电离能有不同的长波限，掺杂的杂质不同，吸收就可以在很宽的波段内产生。 本征吸收长波限： ≤ 或 ≥ 注：只有本征吸收和杂质吸收能够直接产生非平衡载流子，引起光电效应。 二、半导体物理基础 第2章 光电效应 （3）激子吸收 电子不产生能带间的跃迁成为自由载流子，仍受原来束缚电荷的约束而处于受激状态。激子的能量小于自由电子的能量，因此能级处在禁带中。激于子作为一个整体可以在晶格内自由运动，然而它是电中性的，不能产生电流。 （4）自由载流子吸收 由于自由载流子在同一能带内不同能级之间的跃迁而引起的，因此称为自由载流子吸收。不改变半导体的导电特性。 （5）晶格吸收 光子直接转变成晶格原子的振动。宏观上表现为温度升高，引起物质的热敏效应。 二、半导体物理基础 第2章 光电效应 三、光电效应 1、内光电效应 本征光电导 在本征半导体中，电子未获得其它能量之前处于基态，价带充满着电子，导带没有电子，而因晶体缺陷产生的能级又不能激发自由电子时，则这些材料的电阻是较大的。但是，如果这些材料内的电子受到一种外来能量如光子的激发，且这种激发又能使电子获得足够的能量越过禁带而跃入导带的话，则材料中就会产生大量的电子及空穴(光生载流子)参与导电，因而材料的电阻就相应减少。这是由本征光吸收所引起的光电导效应。 第2章 光电效应 杂质光电导 在掺杂半导体中，除了本征光电导外，还存在杂质光电导。对P型半导体来说，由于其受主能带靠近价带，所以价带中的电子很容易从光子吸收能量跃入受主能带，使价带产生空穴参与导电。对N型半导体来说，由于其施主能带靠近导带很近，所以施主能带中的电子很容易从光子获得足够的能量进入导带而参与导电。这是由杂质吸收所产生的杂质光电导效应。 三、光电效应 第2章 光电效应 微弱辐射作用下： 强辐射作用下： 在弱辐射作用下的半导体材料的光电导与入射辐射通量 成线性关系。 光电导灵敏度为与材料性质有关的常数，与光电导材料两电极间长度 的平方成反比。为提高光电导灵敏度 ，需要将光敏电阻的形状制造成蛇形。 强辐射情况下，半导体材料的光电导与入射辐射通量间的关系呈抛物线关系。 在强辐射作用的情况下半导体材料的光电导灵敏度不仅与材料的性质有关，而且与入射辐射通量有关，是非线性的。 三、光电效应 第2章 光电效应 光生伏特效应 半导体PN结示意图 PN结的能带结构 当P型与N型半导体形成PN结时，内建电场的方向由N指向P。当入射辐射作用于PN结区时，本征吸收产生的光生电子与空穴将在内建电场力的作用下做漂移运动，电子被内建电场拉到N区，而空穴被拉到P区。结果P区带正电，N区带负电，形成伏特电压。 三、光电效应 第2章 光电效应 PN结接入负载电阻，在接收入射辐射后，电阻上产生的电流为： 短路电流： 开路电压： 公式最终可简化为： 电流与入射辐射通量 成线性关系。 三、光电效应 第2章 光电效应 丹倍（Dember）效应 在曝光区产生本征