入射波电场垂直入射面.PPT

第一章 电磁现象的基本规律 第四章 电磁波的传播（9课时） 4.1 电磁场波动方程和时谐电磁场 4.1 电磁场波动方程和时谐电磁场 4.1 电磁场波动方程和时谐电磁场 4.1 电磁场波动方程和时谐电磁场 4.1 电磁场波动方程和时谐电磁场 4.1 电磁场波动方程和时谐电磁场 4.1 电磁场波动方程和时谐电磁场 4.1 电磁场波动方程和时谐电磁场 4.1 电磁场波动方程和时谐电磁场 4.1 电磁场波动方程和时谐电磁场 4.1 电磁场波动方程和时谐电磁场 4.1 电磁场波动方程和时谐电磁场 4.1 电磁场波动方程和时谐电磁场 4.1 电磁场波动方程和时谐电磁场 4.2 电磁波在绝缘介质界面上的反射和折射 4.2 电磁波在绝缘介质界面上的反射和折射 4.2 电磁波在绝缘介质界面上的反射和折射 4.2 电磁波在绝缘介质界面上的反射和折射 4.2 电磁波在绝缘介质界面上的反射和折射 4.2 电磁波在绝缘介质界面上的反射和折射 4.2 电磁波在绝缘介质界面上的反射和折射 4.2 电磁波在绝缘介质界面上的反射和折射 4.2 电磁波在绝缘介质界面上的反射和折射 4.2 电磁波在绝缘介质界面上的反射和折射 4.2 电磁波在绝缘介质界面上的反射和折射 4.2 电磁波在绝缘介质界面上的反射和折射 4.3 导体中的电磁波 4.3 导体中的电磁波 4.3 导体中的电磁波 4.3 导体中的电磁波 4.3 导体中的电磁波 4.3 导体中的电磁波 4.3 导体中的电磁波 4.3 导体中的电磁波 4.3 导体中的电磁波 4.4 谐振腔和波导管 4.4 谐振腔和波导管 4.4 谐振腔和波导管 4.4 谐振腔和波导管 4.4 谐振腔和波导管 4.4 谐振腔和波导管 4.4 谐振腔和波导管 4.4 谐振腔和波导管 第四章 电磁波的传播 垂直入射情况下的幅度关系 H? E? H? k? k E H E? k? 图4－8 ?1,?0 ?2,?,?0 入射波： 反射波： 折射波： 边值关系： { 结果： 不妨假定电场正向垂直纸面向内 正确列出独立齐次边值关系 介质2换成理想导体或超导体怎么处理？ 无折射波； 边值关系：E+E? = 0; H?H =2H= i0; (i0 与E 正向一致) ? i0 上述结果与?2无关,同样说明对良导体来说,其介电常量不起作用. 反射系数： 良导体近似及对结果的物理分析： 3. 半波损失：E?/E≈?1 4. 折射波的特性： (4.3.29) 折射波因欧姆耗散沿透入深度指数衰减(对比绝缘介质全反射情况) 表面电阻和功率耗散 引入表面电阻的目的：实现对良导体表面焦耳耗散的参数描述 满足边界条件： 半无限良导体(z ? 0)中的定态电磁波解（k = ? + i?） 上述解来自前面垂直入射结果，也可直接代入波动方程验证 在理想导体极限下，下边界H 切向分量有限，E 切向分量趋于零 ① 表面电流： ① 图4－9 a b i0 ? 平均功率： 表面电阻： 积分电导：?? ；表面电阻：1/(?? ) ; 功率面密度:表面电阻×面电流密度有效值平方 应用：计算电磁波在导体中的穿透深度；计算导体壁的焦耳功率 1. 计算电磁波在导体中的穿透深度： 计算导体壁的焦耳功率 采用良导体近似计算功率面密度： 在理想导体近似下求解电磁波（见下节波导管） 条件：衰减距离（也正比于?1/2） 波长 积分求出单位长度波导管的耗散功率（习题4.13) 良导体： 普通导体： 将电磁波限制在有限空间，实现高频电磁波的有效激发和传播 求解赫姆霍兹方程的边值问题，分量变量法 不同于反射折射问题，允许出现多解，分析各种波模的性质 一 基本方程和边界条件 电磁场以理想导体为边界，设为S ；内部填满均匀线性各向同性介质 电场定解问题： 磁场及界面场源： (规定n 指向解域内部) 自动满足 事先将无散条件对边值的约束条件写出： 图4－10 En(0) n En(?n) ?n ?A (4.4.7) 仅适于平面边界；对球面边界，见习题2.1 二 谐振腔 1. 求解过程（分离变量法） 图4－11 z x y L2 L3 L1 O 解域： 解域边界S ： 针对电场E 的某个分量u 求分离变量解： (4.4.10) (4.4.11) (4.4.12) 由边界条件定参 数，以Ex为例： { m, n, l 为正整数 (4.4.14) (4.4.13) 对Ey 的和Ez 作类似处理，最终求得： (4.4.15) 由无散条件??E＝0，导出3个幅度因子满足如下约束条件