溅射法.pptVIP

薄膜的物理气相沉积 主要内容 溅射背景 气体放电与等离子体 溅射的物理过程 溅射沉积方法 直流、射频、磁控、反应、离子束溅射 其它PVD法 一、溅射背景 十九世纪，发现溅射现象，被当作一种令人讨厌的现象。特别是放电管领域里——设法避免 二十世纪60年代——镀膜技术 贝尔实验室(Bell Lab．)和威期特思电气公司(Western Electric)进行溅射镀膜研究 1963年：全长10余米的连续溅射装置 1966年：美国IBM公司高频溅射技术——绝缘膜 理论上，可在任何材料上沉积任何材料的薄膜 较高的真空度 薄膜纯度高 沉积速度高 离子轰击 二、气体放电与等离子体 气体电离：具有一定能量电子与气体分子碰撞，可能使气体分子外层电子丢失形成离子； 气体放电：气体在电场作用下发生电离的过程； Townsend放电：电极两端施加直流高压而导致气体电离； Townsend放电：气体击穿初期，放电电压较高，且随输入功率的增加变化很小；放电电流随输入功率的增加而增加，但比较小 正常辉光放电：足够多电子和离子使得放电可以自持——气体电导率较大，极板间电压下降 异常辉光放电：电离度达到较高后——电流随功率增加变缓，但电压迅速增加 辉光放电过程中电子的碰撞 等离子体中高速运动的电子与其他粒子碰撞是气体维持放电的主要微观机制 电子速度能量远高于离子的速度能量 弹性碰撞（小于2eV） 质量的差异→