半导体器件物理苏州大学考研.ppt

半导体器件物理 电子信息学院 王明湘 王子欧 2006年6月 第一章 绪论 1.学习器件物理的意义 2.本课程的基本内容 3.学习器件物理的基本方法 本课程的基本内容 CH1 课程简介 CH2 热平衡时的能带及载流子浓度 CH3 载流子输运现象 CH4 PN结 CH5 双极型晶体管及其相关器件 CH6 MOSFET及其相关器件 CH7 金-半接触及MESFET Importance of Semiconductor Industry 4 Building Blocks A)金-半接触（metal-semiconductor contact）： 整流接触（rectifying contact） 欧姆接触（Ohmic contact） B)PN结（P-N junction） C)异质结 （hetero-junction interface） D)金属-氧化层-半导体（metal-oxide-semiconductor，MOS）结构 First Transistor on Ge (贝尔实验室) First MOS Transistor(贝尔实验室) Floating Gate Transistor (nonvolatile semiconductor memory device) Technology Drivers 第二章 物质结构·能带结构的形成和描述·统计描述 Insulator Semiconductor Conductor Semiconductors 2、原胞，晶胞的定义，几种晶体结构 Example 1: Cubic bcc fcc Diamond Structure 3、周期势场的形成： ???? a. 原胞的无限周期排列?? ???? b. 电子在能量动量空间的平衡位置 ???? c. 缺陷、表面势 mn=0.25m0mp=m0半导体能量动能图 Equivalent Planes in Cubic 柴可拉斯基拉晶仪 四面体结构 传导电子与空穴 能级与能带 硅原子能级 孤立原子聚集形成金刚石晶格晶体的能带形成图 三种材料的能带表示图：两种可能性的导体，半导体，绝缘体 硅及砷化镓的能带结构 费米分布函数F(E)对(E-EF)图 硅及砷化镓中本征载流子浓度 非本征半导体的施主离子,受主离子 不同杂质在硅及砷化镓中所测得的电离能 费米能级EF及本征费米能级Ei 温度及杂质浓度为函数的硅及砷化镓费米能级 施主浓度为1015 cm-3的硅样品的电子浓度 迁移率随温度，掺杂的变化 硅与砷化镓:迁移率及扩散系数随杂质浓度的变化 一个n型半导体中的传导过程: (a) 热平衡时 (b) 偏压情形下 截面积为Ａ，长为Ｌ，在此均匀掺杂的半导体棒中电流的传导 四探针法测电阻 硅及砷化镓：电阻率随杂质浓度的变化 利用霍耳效应测量载流子浓度的基本装置 电子浓度对距离的变化情形，Ｌ平均自由程 电子-空穴对的直接产生与复合：(a) 热平衡时，　　　　　　　(b) 光照下 光激发载流子的衰减情形。(a) n型样品在恒定光照下，(b) 少数载流子（空穴）随时间的衰减情形，(c) 测量少数载流子寿命的图示装置。 在热平衡下间接产生-复合过程 干净半导体表面上键 俄歇复合 厚度为dx的无限小薄片中的电流及产生-复合过程 稳态下载流子从一端注入：(a) 半无限样品，(b) 厚度为W的样品 在x = 0处的表面复合。表面附近少数载流子的分布受到表面复合速度的影响 海恩-肖克莱实验7。(a) 实验装置，(b) 无施加电场下的载流子分布，(c) 施加电场下的载流子分布。 (a) 隔离n型半导体的能带图。(b) 热电子发射过程。 (a) 距离为d的两个隔离半导体的能带图。(b) 一维势垒。(c) 波函数穿越势垒的图示法。 硅单晶中漂移速度对电场的变化情形 硅单晶及砷化镓中漂移速度对电场的变化情形。注意对n型砷化镓而言，有一个区域为负的微分迁移率 对两-谷半导体而言，各种电场情形下电子的分布情形 两-谷半导体的一个可能的速度-电场特征 雪崩过程的能带图 对硅晶及砷化镓所测量的电离率与电场倒数的关系 耗尽区 突变结 单边突变结 单边突变结 热平衡时的线性缓变结 超突变结、单边突变结和单边线性缓变结的杂质分布 耗尽区、能带图、载流子分布 注入的少数载流子分布和电子空穴电流 典型p-n 结电流-电压特性 p-n 结的小信号等效电路 p-n 结