01第四章常用半导体器件原理-精选(公开课件).pptVIP

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  • 2018-11-01 发布于广西
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01第四章常用半导体器件原理-精选(公开课件).ppt

第二章 集成运算放大器的线性应用基础 第四章 常用半导体器件原理 4-1 半导体物理基础 4-2 PN结 4-3 晶体二极管 4-4 双极型晶体管 4-5 场效应管 一、工作原理 饱和电流 IDSS 夹断电压UGS(off) 栅极电流 IG ? 0 输入阻抗很大 UGS增大?导电沟道变窄?ID减小 二、输出特性 恒流区(| uGS | ? | UGS(off) |且| uDG | = | uDS - uGS | | UGS(off) | ) uGS和iD为平方率关系。预夹断导致uDS对iD的控制能力很弱。 可变电阻区(| uGS | ? | UGS(off) |且 | uDG | | UGS(off) |) uDS的变化明显改变iD的大小。 截止区(| uGS | | UGS(off) |) iD = 0 三、转移特性 预夹断 【例 4.3.1】电路如图 (a) 所示,计算二极管中的电流 ID 。已知二极管的导通电压UD(on) = 0.6 V,交流电阻 rD 近似为零。 解:可以判断二极管处于导通状态,将相应的电路模型代入,得到图 (b) 。节点 A 的电压 UA = E - I1R1 = - I2R2 = - E + UD(on) = - 5.4 ,解得 I1 = 5.7 mA,I2 = 5.4

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