电力电子技术-第五版-王兆安-课后习题全解.pdf

电力电子技术课后习题全解(个人整理) 第5 版 王兆安 刘进军 主编 机械工业出版社 第二章 2-1 与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特 点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？ 答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有 效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P 区和N 区之间多了一层低掺杂N 区，也称漂移区。 低掺杂N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半 导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N 区就可以承受很高的电压而不被击 穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施 加触发电流（脉冲）。或：UAK0 且UGK0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为 关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通 的最小电流，即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过 晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下， 便可使导通的晶闸管关断。 2-4 图 2-27 中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形 的电流最大值均为 I ，试计算各波形的电流平均值 I 、I 、I 与电 m d1 d2 d3 流有效值I 、I 、I 。 1 2 3 1  Im 2 4 Im sin(t) ( 1)  0.2717 Im 2 2 2 解：a) I =  d1 1  2 Im 3 1 2  (Imsint) d (wt) 2 4  2  0.4767 Im I = 4 1 b) 1  Im 2   Im sintd (wt) 2 ( 2 1) 0.5434 Im I = 4 d2 1  2 2 Im 3 1   (Imsint) d (wt) 2 4  2  0.6741Im I = 4 2 1  1 2 Im d (t) Im c) I =2 0 4 d3 1  2 1