直拉硅单晶生长过程中工艺参数对相变界面形态的影响.PDF

First Read 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 67, No. 21 (2018) 218701 直拉硅单晶生长过程中工艺参数 对相变界面形态的影响 张妮 刘丁 冯雪亮 1) (西安理工大学, 晶体生长设备及系统集成国家地方联合工程研究中心, 西安 710048) 2) (陕西省复杂系统控制与智能信息处理重点实验室, 西安 710048) ( 2018 年2 月7 日收到; 2018 年7 月28 日收到修改稿) 为改善晶体相变界面形态, 提高晶体品质, 提出了一种融合浸入边界法(immersed boundary method, IBM) 和格子Boltzmann 法(lattice Boltzmann method, LBM) 的二维轴对称浸入边界热格子Boltzmann 模 型来研究直拉法硅单晶生长中的相变问题. 将相变界面视为浸没边界, 用拉格朗日节点显式追踪相变界面; 用LBM 求解熔体中的流场和温度分布; 用有限差分法求解晶体中的温度分布. 实现了基于IB-LBM 的动边 界晶体生长过程研究. 得到了不同晶体生长工艺参数作用下的相变界面, 并用相变界面位置偏差绝对值的均 值和偏差的标准差来衡量界面的平坦度, 得到平坦相变界面对应工艺参数的调整方法. 研究表明, 相变过程 与晶体提拉速度、晶体旋转参数和坩埚旋转参数的相互作用有关, 合理地配置晶体旋转参数和坩埚旋转参数 的比值 能够得到平坦的相变界面 , . 关键词: 晶体生长, 固-液相变, 浸入边界法, 格子Boltzmann 法 PACS: 87.64.Aa, 64.70.D–, 81.10.–h, 47.11.–j DOI: 10.7498/aps.67 以其物理意义清晰、程序简单易行等优点成为一 1 引 言 种新兴的研究方法并被广泛使用. 与传统的流体 动力学方法相比, 格子Boltzmann 法由于不需要离 直拉法硅单晶生长中相变界面的形状会直接 散Navier Stokes (NS) 方程从而避免了对流项离散 影响晶体中的位错密度大小以及剖面上电阻率的 7 带来的数值不稳定问题 . 因此, 针对流动与传热 1 均匀性, 因而一直受到学术界和产业界的关注 . 问题, 本文采用格子Boltzmann 方法求解NS 方程. 依据能量守恒原理可知相变界面形态由其上下两 相变研究的核心主要在于相变界面的追踪. 在此 侧的温度梯度决定, 同时相变界面的动态变化也会 影响熔体中的温度场和速度场. 相变与传热和流动 方面, 文献[8] 采用自适应网格法研究了自然对流 作用下的相变过程. 通过不断建立贴体网格显式 之间的双向耦合作用及其所具有的不确定性使晶 体生长过程中相变问题的求解变得非常复杂和困 追踪相变界面, 清晰地描述了相变的物理过程, 但 难. 因此, 通过建立硅单晶生长模型, 寻求复杂相 迭代过程时间成本高; 文献[9, 10]