模电“电子技术基础”康华光-ch41bjt.ppt

Bipolar Junction Transistor(BJT) 4.1.1 结构与符号 4.1.2 工作原理 4.1.3 特性曲线 4.1.4 参数 4.1.5 型号 4.1.6 基本要求 4.1.1 结构与符号(Structures and Circuit Symbol) 两种: NPN PNP 外部条件？ 另有支流： IEP 、ICBO 四、放大作用 三种组态电路 (Common) 4.1.3 特性曲线 4.1.4 参数 分为三大类: 1. ICBO O(Open) 2.共基~ α=?IC/?IE? VCB=const (3)极限参数 ①ICM IC上升时 ?会下降。 ?下降到放大区?值的70％时所允许的电流。 ③反向击穿电压（V(BR)XXO） 1.V(BR)CBO—— E极开路时的 集电结击穿电压。 4.1.5 半导体三极管的型号 国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B 表02.01 双极型三极管的参数 共发射极接法的输出特