典型电荷-时间测量ASIC举例AGET.PPTVIP

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典型电荷-时间测量ASIC举例AGET

刘树彬 核探测与核电子学国家重点实验室 刘树彬 核探测与核电子学国家重点实验室 中国先进气体探测器合作组读出ASIC设计需求 先进气体探测器合作组 核电子与核探测器学会微电子专委会 整体思路 根据先进气体合作组研究需求 结合国内微电子读出设计能力 适当参考国外芯片架构及方法 几种技术路线 灵活,但不过度追求通用而造成难度和复杂程度增大 建议实现前端数字化 建议统一数字化接口,以便通用读出电子学系统的设计 主要指标指导思想 较高集成度 单芯片32通道或以上 动态范围适当并有选择 ~200fC(或兼有-1pC、-10pC等多个量程,可配置) 低噪声水平 1fC@Cin=100pF (对240fC量程) 低功耗 10mW/ch(希望达到~5mW/ch甚至2mW/ch) * 刘树彬 核探测与核电子学国家重点实验室 * 其它 具有一定的灵活性,但不宜过于复杂 如成形时间、动态范围适当可调 统一的输出数字接口 SPI、JTAG、E-Link…… 寄存器配置应尽可能简单(芯片加电后最好能自动进入默认的正常工作模式) 合理的测试输出引脚,方便调试 不宜有过多外部模拟偏置输入 具有刻度功能 完备的器件手册 给出典型的设计范例或推荐配置方案 * 刘树彬 核探测与核电子学国家重点实验室 * 方向1——计数型 应用需求 DHCAL、RICH、束斑检测…… 主要指标 通道数:32以上 阈值:~5fC(单通道可微调) 时间精度:~1ns 研制单位:高能所、近物所、西工大、科大 预期时间:~3年 * 刘树彬 核探测与核电子学国家重点实验室 * 典型计数型ASIC举例:MICROROC * * 刘树彬 核探测与核电子学国家重点实验室 方向2——像素型芯片 应用需求 三维光电子径迹测量、TPC、顶点探测器…… 技术路线 1.参照MediPix、TimePix类 研制单位:西北工大、高能所(256×256) 预期时间3~4年 2.TopMetal类 研制单位:华师(600×600,20e以下,10ns时间精度) 预期时间:~2年 * 刘树彬 核探测与核电子学国家重点实验室 * * * 像素型读出ASIC:Timepix3 256*256通道像素型电荷/时间测量芯片,由CERN设计 电荷测量:TOT+ 像素级ADC(8位) 时间测量:CSA + 甄别器 +计数器 应用:GEMpix, INGRID ? TPC, telescope detector Timepix3的问题: 技术支持较差 倒装焊工艺贵 成品率问题 刘树彬 核探测与核电子学国家重点实验室 方向3——峰保持(+时间) 应用需求 几乎所有的电荷测量、径迹测量…… 主要指标: 动态范围:两百fC(10pC可选) 技术路线: 第一步在参考VA芯片的基础上研究,提供前端模拟芯片 第二步,集成ADC和TDC(参考VMM简化) 研制单位:西工大 预期时间:~3、4年 * 刘树彬 核探测与核电子学国家重点实验室 * 典型电荷测量ASIC举例:VATA160 * 挪威IDEAS公司设计 32通道 各通道峰保持之后的信号逐一模拟输出 具备自触发功能 量程:-3pC ~ +13pC, 噪声:1~2fC 功耗:180mW * 刘树彬 核探测与核电子学国家重点实验室 * * 典型电荷-时间测量ASIC补充:VMM3 64通道电荷/时间测量芯片,由美国BNL设计 电荷测量:电荷灵敏放大+ 成形 + 模拟寻峰 + 内部ADC 时间测量:CSA + 成形电路 + 甄别器 + TAC +内部ADC VMM3的问题: 目前仍存在一些bug 后续改进前景不明 技术支持较差 刘树彬 核探测与核电子学国家重点实验室 方向4——波形采样+时间 应用需求 TPC等电荷测量、径迹测量…… 主要指标 通道数:32以上 动态范围:~200fC(10pC可选) 采样率:1MSPS~100MSPS 其他参考AGET 研制单位:清华、科大 预期时间:~3年 * 刘树彬 核探测与核电子学国家重点实验室 * * * 64通道通用TPC读出芯片 由法国CEA的Saclay实验室设计 动态范围: 120fC, 240fC, 1pC, 10pC 达峰时间: 50ns - 1μs (16 values) 采用开关电容阵列结构:512个电容/通道 采样率: 1MHz - 100MHz 读出频率:25MHz 典型电荷-时间测量ASIC举例:AGET AGET的美中不足: 触发率过低:~1kHz 功耗略大:10mW/ch 配置过于复杂 刘树彬 核探测与核电子学国家重点实验室 * 刘树彬 核探测与核电子学国家重点实验室 * 刘树彬 核探测与核电子学国家重点实验室 刘树彬 核探测与核电子学国家重点实验室

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