电光特性磊晶膜之研究.PDFVIP

電光特性磊晶膜之研究 計畫編號： NSC 90-2216-E-006-066 計畫主持人：張炎輝 執行單位：國立成功大學材料科學及工程學系 本實驗利用R.F. Magnetron Sputtering 系統成長LiNbO3 薄膜於Si 基板及單 晶 Al O 基板上。固定濺射功率以及靶材與基板之間距，改變Ar/O 混合比例、 2 3 2 成長溫度，探討製程參數對於鈮酸鋰薄膜成長之影響。以X-ray 、SEM 等儀器分 析沉積薄膜之結構以及表面型態 。實驗結果顯示，矽基板成長鈮酸鋰薄膜在溫度 500 、混合Ar/O2 為 8/2時，可得到最佳優選方向之結晶結構。在單晶氧化鋁 基板上沉積在450 以上、混合氣氛8/2及 6/4皆可得到有優選方向之鈮酸鋰薄膜 結構，經過氧氣氛中 500持溫2 小時之熱處理條件，強化(006)面之優選方向， 且穿透率可由 56%提升至 68% 。由電滯曲線量測確認薄膜的確具有鐵電現象， 且在氧氣氛分壓為 20% 、500下成長之鈮酸鋰薄膜，因其結構異向性及結晶性 質較佳而呈現較強之鐵電相電滯曲線。 一、前言 鈮酸鋰 (LiNbO ) 具有優秀之壓 學輻射損傷具有較好的抗損傷能力 3 電、電光、聲光以及非線性光學等性 [2] 。然而在實用上目前仍存在許多的問 質，在表面聲波元件 (SAW)及雷射 Q 題尚待克服，其中最嚴重的就是光學 閘 (Q-switch) 之 外 ， 光 調 制 器 損耗(optical loss) 。而材料中的光學損 (Modulator) 、倍頻器(Second Harmonic 耗來自於諸如晶界(grain boundary)和 Generator) 等光學元件以及光學性質被 點缺陷 (point defect) 等的材料吸收，另 廣泛的應用及研究。薄膜光波導相較 外還有發生在諸如第二相 (second 於塊材之光波導其性能有下列之優 phase) 、晶格misorientation 、晶界、 勢 ：(1) 採用基板材料之選擇，可有較 不平整或粗糙表面、晶粒間溝槽 大折射率差異，使得光可以完整限制 (groove) 等的光學散射；因此要降低這 [1] 於導波層中 。(2)利用微電子製作技 些造成光損耗的原因，就必須從材料 術配合光學元件設計，獲得微小尺寸 製程及結晶品質控制著手。 之積體光學元件。(3)原以 Ti內擴散 (Ti indiffusion)造成折射率改變而限制光 二、實驗流程 行進路線，在紅外光區光學輻射損傷 本實驗利用射頻濺鍍將LiNbO3 薄 膜濺鍍於 Si 與Al O單晶基板上，其 限制傳輸功率 或； PE (Poton-Exchange) 2 3 作出導光層只能導異常波。 薄膜型態 靶材之製作： 將純度 99.9% 以上之 Li CO 和 Nb O 粉末，以一般傳統陶 的發光材料與粉末之比較，除了表一 2 3 2 5 所列之優點外，更有以下的優點： (1) 瓷製程進行配製，以適當比例稱重混 在膜和基材間可獲得較大的折射率 合烘乾之後的粉末，進行乾式震盪球 差，也因此可以將光束完全限制在導 磨，過篩後分別在適當溫度持溫10 小 波層中。(2)可利用發展成熟的微電子 時煆燒；之後研磨過篩加入 2%之 PVA 元件製作技術將微電子元件和微光學 造粒，