MS结构准静态V特性测量.doc

MOS结构准静态C-V特性测量 MOS结构低频C-V特性,是确定二氧化硅层厚度界面态密度参数（简称准静态C-V特性） 测量是检测MOS器件制造工艺的重要手段。掌握并了解MOS结构及C-V方法测量原理。 学会X-Y记录仪的使用方法，并测出高频下的C-V特性曲线。通过测景MOS结构低频C-V 特性，确定二氧化硅层厚度界而态。 二实验原理 MOS结构及艽C-V特性 C = J^- （1） 式中是金属电极上的电荷Kd密度,A是电极面积。似通过对该电容的c-v 特性的测量分析，就可以了解半导休表面的各种状态，如Si02-Si界面的各种电荷的性质，测 定Si的许多重要表而参量和体参量（如杂质浓度，少子寿命等）。本实验是通过对C-V特性的 测量分析计算出氧化层中同定的电荷密度。 理想MOS的C-V特性 所谓理想情形，是假设MOS结构满足以下条件：（1）金属与半导体闽功函数差为零；（2）SiO2 绝缘层内没有电荷；（3） Si02勾半导体界面处不存在界面态。偏压VG —部分迕降在Si02上， G G （2） 记作一部分降在半导体表面空M电萜区，记作，即权即： Vs=0时，半导体表面能带平直，称为平带。平带时的MOS电容称为平带电容，记作CFB。对 于给定的MOS结构，妇一化平带电容由下式给出[1]: = 1 r （8） C°X kT€,￡n V 实际的MOS的C-V特性 由于Si02中总是存在电荷（通常是正电荷），且金属的功函数Wm和半导体的功函数Ws通 ? 常并不相等，所以VFB—般不为零。若不考虑界而态的影响，冇 氧化层中正电荷的计算 通过以上分析，我们看到氧化层中正电萜的影响（在这里我们只笼统的讲是正电疴）。实际 上它包括氧化居中固定电荷，Si-Si02界而的界而态以及靠近Si-SiO2界而的可动离子正电荷， 后者的密度可通过BT实验-正、负偏压温度处理方法来进行测量，这不迮本实验的内容。 关于计算氧化层中正电荷密度的方法，在这里我们介绍二种。第一种方法是根据高频CTG-1 型高频测试仪测出的C-V特性曲线。然后查表得山平带电容，这样在C-V曲线上就能找岀平带 电压VFB，再代入（9）式，就可以计算出Qfc来了。具体方法如卜： 计算功函数差 查表求C/? 在C-V曲线上求山W7? 计算 三测量步骤 木实验采用E4980A c-v测试仪进行测量。安装 木实验采用E4980A c-v测试仪进行测量。安装NetFx_I0LibSuite_16_l_14931.exe，安装 driver Jvicom e4980a 1_0 11 0 7 3 O7.msi,用 USB 线将电脑与 E4980A 连接，打开 E4980A 按阁1中1处的Refresh All,确认阁中2处的2个？变为V 确认图 1 中 3 处的 Firmware 为 Rev. 2. 20。否则按 e4980a_f irmware_update. pdf 内说 明升级同件。 打开 E4980 DataTransfer 0100.xls， Step 1Connect your PC with E4980A using either USB cable or USB/GPIB interface. To handshake with E4980A, select the connection type and enter the GPIBaddress or the serial number of the E4980A, then click Handshake button.17Select the connection typeIEnter the serial number Step 1 Connect your PC with E4980A using either USB cable or USB/GPIB interface. To handshake with E4980A, select the connection type and enter the GPIB address or the serial number of the E4980A, then click Handshake button. 17 Select the connection type I Enter the serial number 将1处改为USB,在2处输入图1中4处的那串字母与数字。点击Handshake,在3处应该 是出现0K。 设置E4980A,按Meas Setup键出现如图2的设置界面（在数字键的左下，方向键的正 下，如果操作无反应，观察图2右下是否出现KXX的3个英文，试着按屏幕下方最右边的 Local/lock键,如果不行就重启E4980A）。 将FUNC改为Cp