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中国科学院半导体研究所 Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences 第一讲 化合物半导体材料 Compound Semiconductor Materials 参考教材 中国科学院半导体研究所 Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences 2 中国科学院半导体研究所 Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences  半导体材料的分类  化合物半导体材料的基本特性 中国科学院半导体研究所 1.1 半导体材料的分类 Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences 1.1.1 什么是半导体？ 18 10 8 -3 -4 -8 绝缘体（10 -10 Ωcm），半导体（10 -10 Ωcm），金属（10 -10 Ωcm） 绝缘体（禁带宽度E 大），半导体（禁带宽度E 小），金属（导带与价带重叠） g g 中国科学院半导体研究所 1.1 半导体材料的分类 Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences 1.1.2 半导体的特征 3 -8 -3  室温下的电导率在10 -10 S/cm （或电阻率10 ～ 8 10 Ωcm）其中，  电导率呈正温度特性（金属呈负温度特性） 两种载流子参与导电（金属只有一种） 中国科学院半导体研究所 1.1 半导体材料的分类 Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences 1.1.2 半导体的特性  温度升高使半导体导电能力增强，电阻率下降 如室温附近的纯硅(Si)，温度每增加8℃，电阻率相 应地降低50%左右  微量杂质含量可以显著改变半导体的导电能力 以纯硅中每100万个硅原子掺进一个Ⅴ族杂质（比如 磷）为例，这时 硅的纯度仍高达99.9999%，但电阻率在 室温下却由大约214,000Ωcm降至0.2Ωcm以下  适当波长的光照可以改变半导体的导电能力 如