InAIN2fGaN+HEMT的研制和特性分析.pdfVIP

摘要 摘要 第三代半导体材料GaN具有击穿电压高、迁移率高、电子饱和速度大等优良 特点。近年来AlGaN／GaNHEMT的研究已经取得很大的进展，但应力诱导的压 a_N／GaN 电问题一直是AlG 与GaN完全匹配，消除压电极化，提高器件的可靠性。而InAlN／GaNHEMT的 研究相对较少，尤其是在国内InAlN／GaNHEMT的研究才刚起步。在此背景下， 本文主要针对InAlN／GaNHEMT进行了研究。 首先，本文完成了InAlN／GaNHEMT器件的研制，并测得有较好的直流和小 信号特性。还对漏端的工艺进行了改进，研制出肖特基作漏端的AlG心『／GaN HEMT器件。肖特基作漏的器件在具有与常规器件相同功能的基础上，还使得击 穿电压明显增大。而且，首次发现漏端肖特基的势垒高度越大，器件的击穿电压 越大。 其次，对自主研制的InAlN／GaN异质结的陷阱进行了研究，通过电流崩塌和 钝化前后材料方块电阻的变化，发现InAlN材料表面可能存在陷阱，并且利用肖 特基的电容．电压的测试方法，对InAlN／GaN的陷阱密度进行了估算，然后采用 低温退火的方法使得陷阱有一定的减少。此外，还研究了不同温度下退火对器件 其它特性的影响。 最后，对InAlN／GaN HEMT器件的陷阱与温度的关系进行了研究，通过对肖 特基的变温测试发现，肖特特表面陷阱或者势垒层陷阱随温度的升高而增多，并 且这些陷阱的增多会使得器件的电流崩塌也变得严重。另外，分析了温度对器件 直流特性的影响，随温度升高，二维电子气浓度变化不大，迁移率减小，材料的 方阻、欧姆接触、器件的输出和转移都有不同程度的退化。 HEMTAIGaN／GaNHEMT 关键字：InAlN，GaN 表面陷阱 Abstract 3 一一_一__——————————————————————_—————————————————————_—————-————一 Abstract haSlotsof Asthe semiconductorGa：N third．generation so theresearCh andsaturation on．Although breal(do、vn veloci够and voltage，mobility inthe HEMT p嬲tyearS，the ofAIGaN／GaNh嬲greatdevelopment isstilloneofthe heterostmcture thelatticemismatched key inducedbvthestminof toG no be latticematcheda_N，with InAlNcall 17％In．c