数字电路课件第三章_清华1(精品·公开课件).pptVIP

补：半导体基础知识 半导体基础知识（1） 半导体基础知识（2） 杂质半导体 N型半导体 多子：自由电子 少子：空穴 半导体基础知识（2） 杂质半导体 P型半导体 多子：空穴 少子：自由电子 半导体基础知识（3） PN结的形成 空间电荷区（耗尽层） 扩散和漂移 半导体基础知识（4） PN结的单向导电性 外加正向电压 半导体基础知识（4） PN结的单向导电性 外加反向电压 半导体基础知识（5） PN结的伏安特性 第三章 门电路 3.1 概述 门电路：实现基本运算、复合运算的单元电路，如与门、与非门、或门 ······ 获得高、低电平的基本原理 理想开关 导通时，内阻为0； 断开时，阻抗为穷大； 转换瞬间完成，即开关时间为0。 正逻辑：高电平表示1，低电平表示0负逻辑：高电平表示0，低电平表示1 3.2半导体二极管门电路 3.2.1二极管的开关特性： 二极管的动态电流波形： 3.2.2 二极管与门 3.2.3 二极管或门 二极管构成的门电路的缺点 电平有偏移（输入与输出电平不同） 带负载能力差 所以只用于IC内部电路 3.3 CMOS门电路 一、MOS管的结构 以N沟道增强型为例： 二、输入特性和输出特性 漏极特性曲线（分三个区域） 截止区 恒流区 可变电阻区 截止区：VGSVGS(th)，iD = 0, ROFF 109Ω 恒流区： iD 基本上