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分子束外延技术简介 声明：本文件中引用的来自书籍、刊物及网页中的图片的一切权利归各自的权利人所有。 吸附泵 在液氮温度下使用多孔 吸附剂吸气的真空泵 可分为内冷式和外冷式 内冷式吸附泵 低温泵（冷凝泵） 使用低于20K的金属表面对气体分子进行多分子层的吸附－－相对于气体的凝聚，可获得更低的极限压强、更大的抽速。 钛升华泵 利用化学活性金属钛在室温或者液氮温度下以化学吸附形式吸附一些化学活性的气体。 钛升华器 溅射离子泵 是一种兼用新鲜钛膜和电离机构同时对化学活性及惰性气体抽气的超高真空泵。 N S 5 kV直流电源 ＋ ＋ 磁铁 钛阴极 桶状阳极 ＋ 10－10 10－8 10－6 10－4 10－2 100 102 104 机械泵 吸附泵 Pa 涡轮分子泵 离子泵 升华泵 扩散泵 低温泵 各种真空泵的工作范围 真空的测量－－真空计 绝对真空计：直接测量气体的压强，如U型管气压计。 相对真空计：利用物理规律间接测量气体压强，如热偶规管、电离规管。 热偶规管 气体的导热与气体压强存在一定的对应关系。 规管热丝 恒流电源 加热丝 热电偶 毫伏表 接被测真空系统 DL-3型热偶规管结构及真空度校准曲线 电离规管 电子在电场中飞行时，若与气体分子碰撞，将以一定的几率发生电离，产生正离子和次电子，电子在飞行中产生正离子的几率在一定温度下正比气体压强，因此可以根据离子流的大小测量真空度。 e ＋ ＋ ＋ 收集极C（负电位） 阳极A（正电位） 阴极F（零电位） 两种结构的电离规管 分子束外延设备 分子束外延设备是一个复杂的系统，它主要涉及如下几个方面的技术： 真空、机械、材料、电子、自动控制、计算机 真空腔室、真空泵、 真空阀门、真空计 源炉温度控制、 挡板控制、 烘烤控制、 真空度监测、 RHEED监测、 残余气体分析 等 计算机 真空系统 控制与监测系统 分子束外延设备真空系统的组成 进样室（装样、取样、对衬底进行低温除气） 预处理与表面分析室（衬底预除气、表面分析XPS、UPS、SIMS、LEED） 生长室（样品生长） 衬底传递机构（样品在各腔室之间的传递） 生长室 预处理室 进样室 缓冲室 小车 Riber 32P MBE系统 V80H MBE系统 Riber 32P MBE系统 Riber 32P 双生长室MBE系统 V80H 双生长室MBE系统 进样室 装样、取样、对衬底进行低温除气 Riber 32P MBE系统 预处理与表面分析室 衬底预除气、表面分析XPS、UPS、SIMS、LEED等 V80H MBE系统 生长室 样品生长 典型的MBE生长室 源炉 荧光屏 RHEED电子枪 观察窗 电离规 衬底 加热器 样品传递 衬底 液氮冷屏 挡板 V80H MBE系统 生长室 样品生长 源炉 液氮冷屏 观察窗 衬底 加热器 挡板 源炉的两种配置 1 卧式配置 源炉的两种配置 2 立式配置 衬底加热器 电离规 加热器 操纵机构 Riber 32P MBE系统 衬底加热器 V80H MBE系统 加热器 操纵机构 主挡板 钼托（substrate mounting block） Riber 3 吋无铟钼托 * 什么是分子束外延 真空技术介绍 分子束外延设备 ? 分子束外延工艺 什么是分子束外延 外延生长技术在半导体领域得到应用是在20世纪60年代。它指的是在一定条件下，使某种或某些种物质的原子（或分子）有规则排列、定向生长在经过仔细加工的晶体（一般称为衬底）表面上。它生长的材料是一种与衬底晶格结构有一定对应关系的单晶层。这个单晶层称为外延层，而把生长外延层的过程叫做外延生长。 分子束外延（MBE）是外延生长技术中非常重要的一种。它是60年代末～70年代初在真空蒸发的基础上迅速发展起来的制备半导体超薄层材料和器件的技术。在超高真空条件下，构成晶体的各个组份和掺杂原子（分子）以一定的热运动速度、按一定的比例喷射到热的衬底表面上进行晶体的外延生长。 在超高真空系统中，分子束源炉与被加热的衬底相对放置。将组成化合物中的各个元素和掺杂元素分别放入不同的源炉内。加热源炉使它们的分子（原子）以一定的热运动速度和一定的束流强度比例喷射到衬底表面上，与表面相互作用，进行单晶薄膜的外延生长。各源炉前的挡板用来改变外延层的组份和掺杂。根据设定的程序开关挡板、改变炉温和控制生长时间，就可以生长出不同厚度、不同组份、不同掺杂浓度的外延材料。 分子束外延原理示意图 其特点是: 生长速度慢（～1?m/h）， 生长温度低， 可随意改变外延层的组份和掺杂， 可在原子尺度范围内精确控制外延层的厚度、异质结界面平整度和掺杂分布。 在生长的原位研究外延表面的生长过程和作表面分析。 分子束外延