非易失性纳米晶存储技术分析-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

摘要 摘要 I I 摘要 自从Flash 存储的概念被提出以后，Flash 存储器一直在非易失性半导体存 储器市场上处于主流地位，现在已经占据了90%以上的非易失性半导体存储器市 场。虽然Flash 存储器在商业应用已经获得巨大成功, 浮栅器件作为闪存的主流 技术，随着特征尺寸的不断减小，目前主流的硅基浮栅存储器随工艺技术拓展遇 到严重的技术瓶颈，无法满足信息技术迅速发展对超高密度存储的要求。最主要 的是器件结构尺寸持续缩小的潜力受限。同时对速度、功耗、可靠性等存储性能 也提出了更高要求。工业界和学术界对下一代非挥发性半导体存储器技术的研 发，主要体现为两种趋势。一是尽可能将目前的FLASH 技术向更高技术代推进。 另一个趋势就是在FLASH 技术达到物理极限无法继续推进后，采用完全不同的 新技术和新存储原理。本文从改进型方案入手，研究了纳米晶浮栅结构的非易失 性存储技术。 对纳米晶浮栅结构非易失性存储器的研究中，本文从器件结构和能带的角度 出发分析了提高存储器件性能的可能途径。建立了纳米晶浮栅结构的电荷保持模 型，分析了纳米晶材料、high-κ 隧穿介质材料和厚度对纳米晶浮栅结构存储性 能的影响。结果表明，金属纳米晶存储器比半导体纳米晶存储器具备更好的数据 保持特性。同时高κ介质的引入也可以大大提高纳米晶存储器的性能。本文通过 电子束蒸发加快速热退火的方法，在higk-κ 介