晶体管原理31陈星弼+张庆中.pptVIP

* 第 3 章 双极结型晶体管 3.1 双极结型晶体管基础 PN 结正向电流的来源是多子，所以正向电流很大；反向电流的来源是少子，所以反向电流很小。如果给反偏 PN 结提供大量少子，就能使反向电流提高。给反偏 PN 结提供少子的方法之一是在其附近制作一个正偏 PN 结，使正偏 PN 结注入的少子来不及复合就被反偏 PN 结收集而形成很大的反向电流。反向电流的大小取决于正偏 PN 结偏压的大小。通过改变正偏 PN 结的偏压来控制其附近反偏 PN 结的电流的方法称为 双极晶体管效应，由此发明的双极结型晶体管获得了诺贝尔物理奖。 美国贝尔实验室发明的世界上第一支锗点接触式双极型晶体管。随后出现了结型双极型晶体管。 双极型晶体管有两种基本结构：PNP 型和 NPN 型，其结构示意图和在电路图中的符号如下。 N N N P P P E E E E B B B B C C C C 3.1.1 双极结型晶体管的结构 双极结型晶体管 ( Bipolar Junction Transistor) 简称为双极型晶体管，或晶体管。 均匀基区晶体管：基区掺杂为均匀分布。少子在基区主要作扩散运动，又称为 扩散晶体管。 缓变基区晶体管：基区掺杂近似为指数分布，少子在基区主要作漂移运