北京航空天大学《电子电路i》习题课1-2章-概念.pptVIP

北京航空航天大学202教研室 * 模拟电路习题课（一） 第一章 集成电路元、器件基础 二极管：特性，用途，交流直流电阻 三极管：特性曲线，工作区，电流间关系，微变等效模型 FET：各种类型的FET特性曲线，特性方程 二极管的伏安特性曲线： U I 死区电压 硅管0.6V,锗管0.2V。 导通压降: 硅管0.6~0.8V,锗管0.2~0.3V。 反向击穿电压VBR 二极管的电阻 直流等效电阻 RD： 交流（动态）电阻 rd： 共射（共E）BJT工作原理 以发射极（E极）作为公共端，EB结正偏，CB结反偏。 令： 则： β是共射BJT输出交流短路下的交流电流增益 共射BJT的伏安特性曲线 共射BJT的输出特性曲线 IC(mA ) 1 2 3 4 VCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,VBE 死区电压，称为截止区。 1. 截止区 iE=0iB= -ICBO 集电结反偏发射结反偏 2. 击穿区 vCEV(BR)后，iC开始剧增的区域，iB=0对应的V(BR)为V(BR)CEO；iE=0对应的V(BR)为V(BR)CBO；V(BR)CBOV(BR)CEO。输出特性上的击穿都是集电结雪崩击穿。 参见 P12 图1.3.4 3. 饱和区 IC(mA ) 1 2 3 4 VCE(V)