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实用标准文案 精彩文档 大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点，因而非常适合用作开关电源（switch-mode power supplies，SMPS）的整流组件，不过，在选用MOSFET时有一些注意事项。功率MOSFET和双极型晶体管不同，它的栅极电容比较大，在导通之前要先对该电容充电，当电容电压超过阈值电压（VGS-TH）时MOSFET才开始导通。因此，栅极驱动器的负载能力必须足够大，以保证在系统要求的时间内完成对等效栅极电容（CEI）的充电。在计算栅极驱动电流时，最常犯的一个错误就是将MOSFET的输入电容（CISS）和CEI混为一谈，于是会使用下面这个公式去计算峰值栅极电流。I = C(dv/dt)实际上，CEI的值比CISS高很多，必须要根据MOSFET生产商提供的栅极电荷（QG）指标计算。QG是MOSFET栅极电容的一部分，计算公式如下：QG = QGS + QGD + QOD其中：QG--总的栅极电荷QGS--栅极-源极电荷QGD--栅极-漏极电荷（Miller）QOD--Miller电容充满后的过充电荷典型的MOSFET曲线如图1所示，很多MOSFET厂商都提供这种曲线。可以看到，为了保证MOSFET导通，用来对CGS充电的VGS要比额定值高一些，而且CGS也要比VTH高。栅极电荷除以VGS等于CEI，栅极电荷除以导通时间等于所需的驱动电流（在规定的时间内导通）。用公式表示如下：QG = (CEI)(VGS)IG = QG/t导通其中：● QG 总栅极电荷，定义同上。 CEI 等效栅极电容● VGS 删-源极间电压● IG 使MOSFET在规定时间内导通所需栅极驱动电流 MOSFET 驱动器的功耗对 MOSFET 的栅极进行充电和放电需要同样的能量，无论充放电过程快或慢 （栅极电压的上升和下降）。因此， MOSFET 驱动器的电流驱动能力并不影响由 MOSFET 栅极的容性负载产生的驱动器功耗。 MOSFET 驱动器的功耗包含三部分：1. 由于MOSFET栅极电容充电和放电产生的功耗。公式 1 ：PC = CG × VDD2 × F其中：CG = MOSFET 栅极电容VDD = MOSFET 驱动器电源电压 （ V） F = 开关频率 2. 由于 MOSFET 驱动器吸收静态电流而产生的功耗。公式 2： PQ = (IQH × D+ IQL × (1 -D ) )× VDD其中：IQH = 驱动器输入为高电平状态的静态电流D = 开关波形的占空比去IQL = 驱动器输入为低电平状态的静态电流3. MOSFET 驱动器交越导通（穿通）电流产生的功耗。公式 3： PS = CC F V× × DD其中：CC = 交越常数 （ A*sec） 从 上 述 公 式 推 导 得 出，三 部 分 功 耗 中 只 有 一 个 与MOSFET栅极电容充 电和放电有关。 这部分功耗通常是最高的，特别在很低的开关频率时。为了计算公式 1 的值，需要知道 MOSFET 栅极电容。MOSFET 栅极电容包含两个电容：栅源电容和栅漏电容（密勒电容） 。通常容易犯的错误是将 MOSFET 的输入电容 （ CISS）当作 MOSFET 总栅极电容。确定栅极电容的正确方法是看 MOSFET 数据手册中的总栅极电容（ QG）。这个信息通常显示在任何 MOSFET 的电气特性表和典型特性曲线中。 表 1 显示了 500V、 14A、 N 沟道 MOSFET 的栅极电容在数据手册中的典型示例。要留意数据手册表中给出的数值与它们的测试条件有关：栅极电压和漏极电压。这些测试条件影响着栅极电荷的值。图 1 显示同一个MOSFET 在不同栅极电压和漏极电压下栅极电荷的典型特性曲线。应确保用来计算功耗的栅极电荷值也满足应用条件。 从图 1 的曲线中选取 VGS = 10V 的典型值，我们得到总栅极电荷为 98 nC （ VDS = 400V）。利用 Q = C * V 关系式，我们得到栅极电容为 9.8 nF，这大大高于表 1 中列出的 2.6 nF 的输入电容。这表明当计算栅极电容值时，总栅极电容值应从总栅极电荷值推导而来。 当使用电气特性表中栅极电荷的最大值来进行最坏情况设计时，这个值应根据设计中的漏源电压和栅源电压进行调整。利用表 1 给出的 MOSFET 信息并以图 1 为例，在 VGS为 12V， 开关频率 F = 250 kHz 和漏源电压为 400V 时，由 MOSFET 栅极电容的充放电而产生的 MOSFET 驱动器的功耗为： 通过使用图 1 的曲线并找到 12V 时对应的 QG 值可以得到 CG 的值。用 QG 除以