回授控制HfO2蚀刻制程.PDF

行 精 類 行 年年 行 立 林 柳 參理 李梁 理 年 ■ 成 果 報 告 行政院國家科學委員會補助專題研究計畫 □期中進度報告 回授控制 HfO蝕刻製程(I) 2 計畫類別：■ 個別型計畫 □ 整合型計畫 計畫編號： NSC 95 － 2221 － E － 007 － 074 － 執行期間： 95 年 8 月 1 日至 96 年 7 月 31 日 計畫主持人： 林強 共同主持人： 柳克強 計畫參與人員： 李庭杰、梁耀文 成果報告類型(依經費核定清單規定繳交)：■精簡報告 □完整報告 本成果報告包括以下應繳交之附件： □赴國外出差或研習心得報告一份 □赴大陸地區出差或研習心得報告一份 □出席國際學術會議心得報告及發表之論文各一份 □國際合作研究計畫國外研究報告書一份 處理方式：除產學合作研究計畫、提升產業技術及人才培育研究計畫、 列管計畫及下列情形者外，得立即公開查詢 □涉及專利或其他智慧財產權，□一年□二年後可公開查詢 執行單位： 清華大學工程與系統科學系 中 華 民 國 96 年 7 月 31 日 回授控制回授控制 HfO蝕刻製程蝕刻製程 (I) (I) 回授控制回授控制 蝕刻製程蝕刻製程 (I)(I) 2 NSC95-2221-E-007-074 林強林強 柳克強柳克強 李庭杰李庭杰 梁耀文梁耀文 林強林強 柳克強柳克強 李庭杰李庭杰 梁耀文梁耀文 國立清華大學工程與系統科學系國立清華大學工程與系統科學系 國立清華大學工程與系統科學系國立清華大學工程與系統科學系 一、一 、前言與目的前言與目的 一一 、、前言與目的前言與目的 先進的半導體製造需要更嚴格的製程技術以改善產品良率與可靠度。蝕刻製 程主要是由許多反應物種與帶電粒子的化學與物理反應來完成 ，然而機台經過長 時間運轉後 ，腔壁狀態的改變會造成電漿參數的漂移，甚至導致製程上無法接受 的結果 。因此控制關鍵的電漿參數如離子能量、離子密度或物種濃度等，將是降 低製程輸出變異的