晶体管原理5-4_陈星弼+张庆.pptVIP

* 5.4 MOSFET 的亚阈区导电 本节以前的漏极电流公式只适用于 VGS VT ，并假设当 VGS VT 时 ID = 0 。但实际上当 VGS VT 时，MOSFET 仍能微弱导电，这称为 亚阈区导电 。这时的漏极电流称为亚阈电流 ，记为 IDsub 。 定义： 使硅表面处于本征状态的 VGS 称为 本征电压 ，记为 Vi 。当 VGS = Vi 时，表面势 ?S = ?FB ，能带弯曲量为 q?FB ，表面处于 本征状态。 当 Vi VGS VT 时，?FB ?S 2?FB ，表面处于 弱反型状态，反型层中的少子（电子）浓度介于本征浓度与衬底平衡多子浓度之间。 在亚阈区，表面弱反型层中的电子浓度较小，所以漂移电流很小；但电子浓度的梯度却很大，所以扩散电流较大。因此在计算 IDsub 时只计入扩散电流而忽略漂移电流。 式中， 5.4.1 MOSFET 的亚阈漏极电流 设沟道上下的纵向电势差为 ( kT/q ) ，则沟道厚度 b 可表为 根据高斯定理， 定义沟道耗尽区的势垒电容为 于是可得沟道厚度为 将 n(0)、n(L) 和 b 代入 IDsub 中，得： 表面势 ?S 与栅源电压 VGS 之间的关系可表为 式中， 由于 ?FB ?S 2?FB ，CD(?S ) 中的 ?S 可取为 1.5?FB 。 于是得到亚阈电流的表达式为 1、IDsub 与 VGS 的关系 当 VGS = 0 时 IDsub ≠ 0，IDsub 与 VGS 之间为指数关系。 2、IDsub 与 VDS 的关系 当 VDS = 0 时 IDsub = 0；当 VDS 较小时，IDsub 随 VDS 的增大而增大；但是当 后，IDsub 变得与 VDS 无关，即 IDsub 对 VDS 而言会发生饱和。 5.4.2 MOSFET 的亚阈区特性 定义亚阈区栅源电压摆幅 S 为亚阈区转移特性斜率的倒数，即： S 的意义：使 IDsub 扩大 e 倍所需的 VGS 的增量。 对于作为开关管使用的 MOSFET，要求 S 的值要尽量小。减小 S 的措施： 3、亚阈区栅源电压摆幅 S *