GB/T 32189-2015氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法.pdf

ICS77.040 H21 中华人 民共和 国国家标准 / — GBT32189 2015 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的 原子力显微镜检验法 TestmethodforsurfacerouhnessofGaNsinlecrstalsubstrateb atomicforce g g y y microscoe p 2015-12-10发布 2016-11-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发 布 中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 / — GBT32189 2015 前 言 本标准按照 / — 给出的规则起草。 GBT1.1 2009 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会 ( / )与全国半导体设备和材料标准 SACTC203 化技术委员会材料分会( / / )共同提出并归口。 SACTC203SC2 : 、 。 本标准起草单位 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 苏州纳维科技有限公司 : 、 、 、 、 、 、 、 。 本标准主要起草人 刘争晖 钟海舰 徐耿钊 樊英民 邱永鑫 曾雄辉 王建峰 徐科 Ⅰ / — GBT32189 2015 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的 原子力显微镜检验法 1 范围 本标准规定了用原子力显微镜测试氮化镓单晶衬底表面粗糙度的方法。 本标准适用于化学气相沉积及其他方法生长制备的表面粗糙度小于 10nm的氮化镓单晶衬底。 , 其他具有相似表面结构的半导体单晶衬底应用本标准提供的方法进行测试前 需经测试双方协商达成 一致。 2 规范性引用文件 。 , 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 凡是注日期的引用文件 仅注日期的版本