硅材料与硅片.pptVIP

提拉法生长单晶硅的工艺流程 Solarfun Solarfun 提拉完毕后单晶的尾部 提拉出的完整单晶锭 （二） 区熔法生长单晶流程 Solarfun Solarfun 区熔法原理：固体材料中只有一段区域处于熔态，材料体系由晶体、熔体和多晶原料三部分所组成。体系中存在着两个固--液界面，一个界面上发生结晶过程，而另一个界面上发生多晶原料方向的熔化过程，熔区向多晶原料方向移动。尽管熔区的体积不变，实际上是不断的向熔区中添加材料。生长过程将以晶体的长大和多晶原料的耗尽而告终。 如下图所示，高频感应线圈上部是多晶硅原料，经高频线圈加热熔化，流向下方，凝结成单晶硅。线圈下部是单晶硅生长的空间，与直拉法相似，区熔法中也要经过引晶，收肩，放肩等一系列流程。随高频感应线圈的不断向上移动，单晶硅棒也不断长大。 区熔法示意图如下：  Solarfun Solarfun 新型区熔炉 区熔示意图  直拉法与区熔法相比较，各自的优缺点如下表： 沾污 直径 缺陷 温梯 成本 用途 区熔法FZ 无 （高纯） 受限， 一般5英寸 多？ 大 高 电力器件 太阳能电池 提拉法CZ 有 不受限， 直径可做很大 少 小 低 集成电路 （IC) 太阳能电池 如表中所述，由于提