第三章+晶体缺陷02.ppt

材料科学基础 第三章 晶体缺陷 本章要求掌握的主要内容 .本章重点及难点 1、点缺陷的平衡浓度公式 2、位错类型的判断及其特征、柏氏矢量 的特征， 3、位错源、位错的增殖(F-R源、双交滑移机制等)和运动、交割 4、关于位错的应力场、位错的应变能、线张力等可作为一般了解 5、晶界的特性(大、小角度晶界)、孪晶界、相界的类型 1.概 述 理想状态的完整晶体而言，即晶体中所有的原子都在各自的平衡位置，处于能量最低状态。 然而在实际晶体中原子的排列不可能这样规则和完整，而是或多或少地存在离开理想的区域，出现不完整性。通常把这种偏离完整性的区域称为晶体缺陷（crystal defect; crystalline imperfection)。 1.概 述 晶体缺陷（Crystal defect）——晶体缺陷对于晶体结构来说规则完整排列是主要的,而非完整性是次要的； 对一些对结构敏感的性能来说，起主要作用的是晶体的完整性,而完整性是次要的；一些相变、扩散变形等都与晶体缺陷有关。 晶体缺陷分类及特征： [1]点缺陷（point defect）：特征是三维空间的各个方面上尺寸都很小，尺寸范围约为一个或几个原子尺度，又称零维缺陷，包括空位、间隙原子、杂质和溶质原子。 [2]线缺陷（line defect）：特征是在两个方向上尺寸很小,另外