第2章晶体管的直流特性.ppt

微电子器件原理;背景知识介绍：;1，点触晶体管输入电阻低、输出电阻高-输入端的电流增量导致很强的输出端电压增量-转移电阻放大放大器(Transresistor)-J.R.Pierce提出命名为Transistor。 2，大约在点接触晶体管发明后一个月，肖克莱初步提出了结型晶体管的概念。在1949年这一概念最终完善。 3，1951年结型晶体管面世后，性能较差的点接触式晶体管被逐步淘汰。 ;“叛逆八人帮”;晶体管分类：; 半导体三极管的型号;1，基本结构 ;双极型晶体管的结构; 双极型晶体管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 从外表上看两个N区，(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度应远小于少子扩散长度。;合金管;合金扩散管;平面管（双扩散晶体管）＊;台面管;2.2 BJT中的电流传输;晶体管端电流的组成;一个正向有源区的BJT电流传输;17;2.3 描述晶体管电流传输作用和放大性能的参数;19;中间参量：;提高直流电流增益的一般原则：;为何CB接法的BJT会具有放大能力？;2.4 晶体管的直流伏安特性;2.4.1 均匀基区BJT的伏安特性;基区P型硅中少数载流子电子的恒定电场连续性输运方程：;26;少子密度;少子密度;29;30;电流密度;步骤2：求各区电流;33;步骤3：最终得到直流方程;35;36;37;理想晶体管或本征晶体管;有源放大区的伏安特性;2.4.2 缓变基区BJT的有源放大区的伏安特性;基区自建电场的产生 在扩散基区中，杂质分布以及电离产生的多子存在浓度梯度。多子在浓度梯度作用下向低浓度方向扩散，结果造成正负电荷中心分离，形成电场。该电场对多子的漂移作用阻止多子的进一步扩散，从而使多子达到漂移和扩散的动态平衡，形成稳定的分布。这种因基区杂质浓度分布不均匀（缓变）而自发地建立起来的电场，称为缓变基区自建电场。该电场的存在使基区中各处的电位不再相等，基区能带发生弯曲。使基区少子在扩散的基础上叠加漂移运动。;一，缓变基区电场的表达式;43;二，缓变基区BJT中的少子分布和少子电流;45;η与少子密度分布关系？;47;利用基区少子密度求得基区少子电流;发射区自建电场;50;51;三，有源放大区的直流伏安特性;低电流非理想区（发射结势垒复合） 理想区 中等注入区（基极电阻分压） 大注入区（大注入效应） 为改善特性，必须减小势垒区和基区表面复合（通过降低复合中心或表面陷阱密度）并使基极电阻和大注入效应减至最小（通过改变基区掺杂分布和器件几何图形设计）;2.5 直流电流增益2.5.1 理想BJT的直流增益;55;56;57;58;2.5.2 影响直流增益的一些因素;60;二，发射区重掺杂;1，为了获得高增益，一般BJT发射区掺杂浓度都很高，大约在本征硅原子密度（5＊1022cm-3）的两百分之一以上，重掺杂发射区中的禁带变窄及俄歇复合将影响电流传输。但在现代的高β晶体管中，发射区宽度通常小于少子扩散长度，禁带变窄是主要影响因素，过剩载流子的复合是次要的。 2，禁带如何变窄的？ a），轻掺杂半导体中，一定体积内杂质原子数量远小于晶体离子，所以可不考虑杂质原子间相互作用以及杂质原子对晶体周期势场的影响。而重掺杂半导体中杂质间距离变小，相互作用加强，出现了电子在杂质原子间的共有化运动，也就是说禁带中间分离的杂质能级展宽为了杂质能带（这种效应在杂质浓度高于1018cm-3时，变得很明显）。另一方面，晶体中大量杂质原子的无规则分布对晶格周期势场产生了影响，使能带失去了明确的边缘，从而产生了一个深入到禁带中的“尾”。随着杂质浓度增高，杂质能带扩展，带尾也伸长，导致主能带和杂志带合并，禁带变窄。 b），重掺杂半导体中的高浓度载流子会屏蔽杂质中心的势场，减弱对电子、空穴的束缚，使产生电子空穴对的激活能减少，相当于使禁带变窄。;E方向 ？;64;65;三，表面复合的影响;四，VCE对BJT电流增益的影响 --基区宽变效应;VA ？;2.6 反向电流和击穿电压2.6.1 反向电流;一，ICBO;发射极浮动电压VEB（fl）;72;二，IEBO;74;三，ICEO（穿透电流）;（2-7）;Beta值;2.6.2 击穿电压;一，BVCBO;二，BVEBO;81;三，VBCEO 、VBCES、 VBCER 、VBCEX 、VBCEZ;83;84;负阻现象-电流剧增电压却下降;86;87;2.6.3 穿通电压;一，基区穿通;二，外延层穿通;2.7 基极电阻;;为什么发射极下基区电流不均匀？;94;95;96;97;98