毕业论文 Slvaco TCAD基CMOS器件仿真.docxVIP

青岛大学本科毕业论文（设计） PAGE PAGE 35 本科毕业论文(设计) 题 目： Silvaco TCAD基CMOS器件仿真 学 院： 物理科学学院 专 业： 姓 名： 指导教师： 2014年 5 月 16 日 青 岛 大 学 毕业论文(设计)任务书 院 系: 物理科学学院 专 业: 微电子学 班 级: 学生姓名: 同组学生: 无 指导教师: 下发日期: 2014 年 3 月 15 日 MOS场效应晶体管的结构与性能模拟研究 摘要：本文主要介绍了N沟道增强型MOSFET的发展历程、基本结构和工作原理，定性的分析了导电沟道的形成过程和本质；简单介绍了silvaco TCAD的发展；以NMOS为例，描述了软件的主要组件、原理、仿真过程及仿真结果。通过对器件的特性的TCAD仿真，使我们深化了对器件在工艺和特性方面的物理研究。silvaco TCAD仿真软件可以有效缩短IC工艺和器件的开发周期，降低开发成本，体现出了TCAD对半导体器件的开发与优化具有重要的作用。 关键词: MOSFET TCAD 工艺仿真 器件仿真 Abstract: This paper mainly introduces the development history, basic structure and working principle of N channel enhancement MOSFET. A qualitative analysis of the forming process and the nature of the conducting channel are pointed out. It introduces the development of SILVACO TCAD and, taking NMOS as an example, describes the main components, the principle of the software, the simulation process and simulation results. Through the simulation on device characteristics, and we deepen the physical study of process and properties of the devices. SILVACO TCAD simulation software can shorten the development cycle of IC process and device effectively, reduce the cost of development. TCAD plays an important role in development and optimization on semiconductor device. Keywords: MOSFET TCAD process simulation device simulation 目录 TOC \o 1-2 \h \z \t 标题 3,2,标题 4,1,标题 5,2,标题 6,2,标题 7,2,标题 8,1,标题 9,2,标题10,2,标题11,2,标题12,1,标题13,1,标题14,1,标题15,1 HYPERLINK \l _Toc357881783 1 引言 PAGEREF _Toc357881783 \h 1 HYPERLINK \l _Toc357881784 1.1 MOSFET的发展 PAGEREF _Toc357881784 \h 1 HYPERLINK \l _Toc357881785 1.2 TCAD的发展 PAGEREF _Toc357881785 \h 3 HYPERLINK \l _Toc357881786 2