Bi Sb2Te Se3合金的多尺度微观结及其热电性能优化
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答辩委员会主席: 逆鳇数援
委员1: 途江王麴攫
委员2: 朱丽萍教授
委员3: 霍德璇教授
委员4: 堂塞魁熬援
委员5: 赵新兵教授
委员6: 朱铁军教授
答辩日期 2015。06.08
万方数据
Multi-scale Microstructures and Thermoelectric Performance
Author,s Signature:鲴堕坠.
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Examming Committee Members:
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浙江大学研究生学位论文独创性声明
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摘要
摘要
(Bi,Sb)2(Te,Se)3合金是室温附近性能最好和迄今为止商业化应用最广的热电 材料。传统定向凝固生长f约(Bi,Sb)2(Te,Se)3合金的最大z丁值大约为1,峰值温度 在室温附近,主要应用于半导体制冷。进一步提高材料的热电性能和有效调控材 料的z,峰值温度,使其在包括中低温余热发电等领域获得更广泛应用,是近年 来有关(Bi,Sb)2(Te,Se)3合金的主要研究目标。本文采用块体材料热变形处理技术, 并辅之以基于本征点缺陷形成能的化学成分优化设计,通过对(Bi,Sb)2(Te,se),合 金中本征点缺陷、纳米结构和取向织构等多尺度微观结构的形成机制、演变规律 及其对热电输运影响的实验研究和理论分析,获得了以下主要研究成果:
1.开发了(Bi,Sb)2(Te,Se)3热压烧结合金的热变形诱导多尺度微观结构调控 技术,通过在热压烧结块体材料中引入取向织构、纳米结构以及原子尺度的线缺 陷和点缺陷,优化了材料的热电传输性能。研究发现,变形诱导的织构增强和晶 粒长大提高了载流子迁移率,非基面滑移诱导的原子级类施主效应增加了载流子 浓度,动态再结晶产生的局部纳米晶和大量原子级晶格线缺陷降低了品格热导 率。多次热变形使得Bi2Te2sel热压合金的最大z,值在513 K达到1.0。
2直接热变形区熔铸锭可以在材料内部引入多尺度的微观结构,获得了与P 型合金相匹配的高性能玎型Bi2Te3.;Se;合金。研究表明,直接热变形诱导的弱类 施主效应补偿了部分损失的织构,因而保持了区熔铸锭高的功率因子。热变形诱 导的多尺度微观结构,包括微米级品粒细化和取向织构损失、纳米级扭曲区域、 原子级晶格线缺陷和点缺陷,通过宽波长的声子散射,降低了晶格热导率。以上 综合作用使得Bi2Te2 79Se021合金的最大z丁值在357 K达到了1.2,是目前报道的 室温附近·陛能最好的n型Bi2Te3基材料之一。
3.研究了本征点缺陷的形成机理、影响因素及其对热电性能的影响机制, 发现点缺陷对(Bi,Sb)2(Te,Se)3合金的热电传输具有重要影响,提出了一种同时优 化电学和热学性能的原子级本征点缺陷工程。通过改变合金成分并结合热变形工 艺,实现了对本征点缺陷的形成能和类施主效应的有效调控。热变形的甩型 Bi2Te2.3Seo.7合金的最大z,值在445 K达到了1.2;热变形的P型B沁sb】7Te3合
金的最大z丁值在380K达到了1.3。
4.通过控制点缺陷的生长环境,使Bi2Te23se
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