4-p-n结.pptVIP

本章内容 热平衡状态下的p-n结 耗尽区 耗尽层势垒电容 电流-电压特性 电荷储存与暂态响应 结击穿 异质结 单位面积耗尽层势垒电容定义为: 右图表示任意掺杂浓度p-n结的势垒电容．实线代表电压加在n侧时对应的电荷和电场分布．如果电压增加了dV的量，电荷和电场分布会扩张到虚线的区域． 耗尽层势垒电容(depletion layer capdcitance) 其中dQ是外加偏压变化dV时， 单位面积耗尽层电荷的增量． 耗尽层势垒电容 在图(b)中，耗尽区两侧电荷分布曲线的上色部分表示电荷增量．n侧或p侧的空间电荷增量相等，而其电荷极性相反，因此总体电荷仍然维持中性．电荷增量造成电场增加， 且dE=dQ/?．图(c)表示对应的电场分布变化，由于外加电压增量dV=WdE=WdQ/?，因此，单位面积的势垒电容为 上式与平行板电容的公式相同，其中两平行板的距离为耗尽区的宽度．此方程式对任意杂质浓度分布都适用． 耗尽层势垒电容 在推导上式时，只有在耗尽区变化的空间电荷对电容值有贡献．这对反向偏压的情况当然是很好的假设．然而对正向偏压而言，大量电流可以流过结，因此也代表中性区有大量的移动裁流子．这些随着偏压增加的移动载流子增量会贡献出额外的一项电容，称为扩散电容． 电容-电压特性曲线 ： 对于一单边突变结，由 得到 和 或 耗尽层势垒电容 例4：对一硅突变结，其中NA＝2×1019cm-3，ND＝8×1015cm-3，计算零偏压和反向偏压4V时的结电容(T＝300K)． 将1/Cj2对V作图，可以得到一直线．由其斜率可求出基体的杂质浓度NB，而由与V轴交点(在1/Cj2 ＝0)可求出Vbi． 根据 解： 由 耗尽层势垒电容 可得到在零偏压时 而在反向偏压4V，时 耗尽层势垒电容 电容-电压的特性可用来计算任意杂质的分布．对p＋-n结，其n侧的掺杂分布如图(b)所示． 杂质分布计算(evaluation of impurity distribution) 如前所述，对于外加电压增量dV，单位面积电荷的增量dQ为qN(W)dW[即图(b)的阴影区域]．其对应的偏压变化为[图(c)的阴影区域] 将 代入上式，得 耗尽层势垒电容 因此，我们可以测得每单位面积的电容值和反向偏压的关系．对1/Cj2和V的关系作图，由图形的斜率，也就是d(1/Cj2)/dV ，可得到N(W)． 同时，W可由 得到．一连串这样的计算可以产生一完整的杂质分布．这种方法称为测量杂质分布的C-V法． 对于一线性缓变结，耗尽层势垒电容由上式和 得到： 对于线性缓变结，将1/C3对V作图，而由斜率和交点得到杂质梯度a和Vbi。 耗尽层势垒电容 许多电路应用p-n结在反向偏压时电容随电压变化的特性，被设计用来达到此目的的p-n结被称为变容器，即可变电容器．如同前面推导的结果，反向偏压势垒电容为 右图显示三个p＋-n的掺杂分布，其施主分布ND(x)可表示为B(x/x0)m，其中B和x0是常数，而对线性缓变结m＝1，对突变结m=0，对超突变结m＝-3/2 其中对线性缓变结n=1/3，而对突变结n＝1/2．因此，就C的电压灵敏度(即C对VR的变化)而言，突变结比线性缓变结来得大．使用指数n大于1/2的超突变结，还可以进一步增加电压灵敏度． 变容器(varactor) 或 耗尽层势垒电容 为得到电容-电压特性，求解泊松方程式: 将上式与式 选取适当的边界条件对上式积分两次，得到耗尽区宽度和反向偏压的依赖关系： 因而 比较，得到n＝1/(m+2)．对于超突变结n＞1/2，m必须是负值． 选取不同的m值，可得到很大的Cj对VR的变化范围，应用于各种特殊场合．如当m＝-3/2时，n＝2，此变容器被接到一震荡电路的电感L上时，其震荡频率将随加到变容器的电压呈线性变化： 耗尽层势垒电容 当在p-n结外加一电压，将会 打乱电子和空穴的扩散及漂移电 流间的均衡． 如中间图所示，在正向偏压时，外加的偏压降低跨过耗尽区的静电电势．与扩散电流相比，漂移电流降低了．由p端到n端的空穴扩散电流和n端到p端的电子扩散电流增加了．因此，少数载流子注入的现象发生，亦即电子注入p端，而空穴注入n端． 电流-电压特性 电流－电压特性 在反向偏压下，外加的电压增加了跨过耗尽区的静电电势，如中间图所示．如此将大大地减少扩散电流，导致一小的反向电流． 电流－电压特性 假设满足：①耗尽区为突变边界，且假设在边界之外，半导体为电中性．②在边界的裁流子浓度和跨过结的静电电势有关．③小注入情况，亦即注入的少数载流子浓度远小于多数载流子浓度，即在中性区的边界上，多数载流子的浓度因加上偏压而改变的