黑磷光电特性及其异质结器件研究-材料学专业论文.docxVIP

Classified Index: O644 U.D.C: 540 Dissertation for the Master Degree in Engineering ELECTRIC AND OPTOELECTRONIC PROPERTIES OF BLACK PHOSPHORUS AND RELATED HETEROSTRUCTURES Jiaying WangProf. Cheng Jiaying Wang Prof. Cheng-Yan Xu Master of Engineering Materials Science School of Materials Engineering Science and June, 2015 Academic Degree Applied for： Speciality： Affiliation： Date of Defence： Degree-Conferring-Institution： Harbin Institute of Technology 摘 要 黑磷作为一种新型的二维材料由于具有良好的电学与光电特性，因此受到 科研工作者的广泛关注。黑磷属于双极性的窄带隙的半导体，其带隙为直接带 隙，带隙类型不随着黑磷厚度的变化而改变；黑磷场效应管器件的载流子迁移 率可以达到 10000 cm2 V-1s-1，略低于石墨烯的载流子迁移率但远高于过渡金属 硫化物。此外，由于黑磷晶体结构的各向异性，在外场的作用下可以对黑磷的 带隙在较宽的范围内进行调控，因此黑磷在柔性光电探测器件领域具有广阔的 应用前景。 现如今对于黑磷的研究尚处于初步阶段，对于黑磷的电学性质、力学性质 以及相关的光电异质结器件的报道较少。本文针对以上的问题，采用扫描探针 显微镜电学与力学模块配合半导体器件探针台对黑磷及其异质结的电学力学性 质以及光电特性进行了研究，此外透射电镜以及微区拉曼光谱对于黑磷在退火 条件下黑磷的相变行为进行了初步的探索。 研究表明，原始黑磷的表面电势随黑磷厚度的增大逐渐降低，块状黑磷的 表面电势约为-51.5 mV。此外，黑磷表面的磷氧化合物对于黑磷表面电势的影 响较大。黑磷在 300 oC 退火过程中发生了黑磷表面磷氧化合物以及黑磷本身的 挥发，此外还存在正交晶系的黑磷向单斜晶系的紫磷的相变过程。黑磷的相变 过程导致了退火后黑磷表面电势的明显升高。退火处理后厚度为 17.6 nm 的紫 磷为 p 型半导体，其空穴的载流子迁移率为 226.3 cm2V-1s-1。 本文利用扫描探针显微镜的力学模块对黑磷的力学性质进行了分析。黑磷 存在明显的负泊松比材料的特性；而其杨氏模量随黑磷厚度的增加而逐渐降低。 当黑磷的厚度为 14.3 nm 时，其杨氏模量为 276 ± 32.4 GPa。随着黑磷厚度的增 加，其杨氏模量值趋近于块状黑磷的杨氏模量值。此外黑磷的断裂强度大于 25 GPa 而断裂应变大于 8%，满足柔性器件的要求。此外本课题利用横向力显微 镜对黑磷表面摩擦力进行了初步的探索，相比于各向同性的 MoS2，黑磷的表 面摩擦力存在着明显的各向异性。黑磷表面摩擦力最大值与最小值的方向呈 90 度角，对应黑磷的[100]与[010]晶向的各向异性。通过建立黑磷表面摩擦力与晶 体取向的关系，对今后制备黑磷电学器件有一定的指导意义。 利用导 电原 子力显 微镜 对 B-P/Si 异 质结结 构的 光电特 性进 行了 研究 ， B-P/p-Si 异质结结构在光照的条件下，正向与负向均有光电流的产生，光电流 的大小随 着光照 强度的 提高而提 高，在 入射光 波长 为 460 nm，功率 为 106 mW/cm2 的光照条件下，光电流达到最大值约为 11 nA。B-P/p-Si 异质结结构对 于 460 nm 波长的光照较为敏感，其光响应的大小可以达到 4.5 A/W。而 B-P/n-Si 异质结结构的光电性能相比于 B-P/p-Si 性能较低，在正向偏压作用下，B-P/n-Si 异质结结构出现明显的负微分效应。最后建立了 B-P/Si 异质结能带结构以及光 生载流子分离规律。 关键词：黑磷烯；二维纳米材料；光电性质；横向力显微镜；导电原子力显微 镜 Abstract As a new member of 2D materials group, black phosphorus, which exhibits high p-type mobilit ies of ~200-10000 cm2 /(V?s), high current on/of ratios and anisotropic transports, whos the promise as a novel candidate that