利用一步法对电沉积制备cigs薄膜的工艺分析.docxVIP

摘要摘要 摘要 摘要 Cu(In,Ga)Se2(CIGS)是一种直接带隙材料，光吸收系数高达105数量级，是 目前己知的光吸收性最好的半导体薄膜材料。利用一步法电沉积制备CIGS薄 膜，设备投资少，可连续、大面积的沉积，适合工业化生产，成为了光伏界研 究的焦点和热点。 本论文主要针对一步法电沉积中所需要的络合剂进行了研究，为了制备出 合格的CIGS薄膜，必须要用到络合剂，实验室经常采用的是邻苯和氨基磺酸作 为溶液缓冲剂，这种体系可以有效制备出CIGS光伏器件，但是这种体系制备的 CIGS薄膜结晶性能不好，还需要经过后期的PVD处理才能制备光伏器件，这 增加了电沉积的成本，为了解决这些问题，本论文选用了其它的络合剂，分析 络合剂浓度以及沉积电位对薄膜的影响，与邻苯和氨基磺酸体系作对比并分析 了其反应机理。本文还分别研究了PVD处理过程中硒蒸发温度和衬底温度对薄 膜的影响，通过实验选择其最佳的工艺参数。 本论文选用了柠檬酸和柠檬酸钠作为络合剂，实验中采用三电极体系，在 由CuCl2，InCl3，GaCl3，H2Se03组成的酸性水溶液中，对Mo／玻璃衬底上进行一 步法电沉积，分别分析了络合剂浓度和不同的沉积电位对沉积薄膜的影响，通 过XRF测试，发现沉积出来的CIGS薄膜不含有Ga，为了分析其原因，分别对 络合剂对溶液的一元、二元、三元、四元体系的影响进行了研究，最终认定可 能的是原因是络合剂抑制了Ga3+的还原反应。 本论文通过实验确定以柠檬酸钠和柠檬酸为络合剂制备的CIGS薄膜成份 不理想，无法制备光伏器件，最终选用邻苯和氨基磺酸体系制备CIGS薄膜，并 对沉积CIGS薄膜的PVD处理进行研究，分别研究了Se源温度和衬底温度对 CIGS薄膜的影响，通过实验发现，PVD热处理的最佳的Se源温度和衬底温度 分别在230℃和560℃左右，通过这种工艺的处理，制备出的CIGS薄膜表面比 较均匀，结晶颗粒大，致密性好，可以制备成品电池，最终制备效率为5．9％的 电池。 关键词：CIGS薄膜太阳电池络合剂一步法电沉积 AbstractCu(In，Ga)Se2(CIGS)is Abstract Cu(In，Ga)Se2(CIGS)is a promising photovoltaic material，which has a direct bandgap and a high optical absorption coefficient of 1 0’．Prepareing CIGS、析也 one-step electrodeposition method has many advantages，such as less investment in equipments and growing large area thin films．So it is suitable for industrialized production has become the focus of photovoltaic research． The main content of this thesis is studying the complexing agent needed in the one-step electrodeposition．Complexing agent is a necessity in fabricating qualified CIGS thin film,potassium hydrogen phthalate and Sulfamic acid are two kinds of complexing agent used in the laboratory．But the crystallization property of CIGS fabricated with these agents is too poor to make photovoltaic devices，SO PVD is needed，but this step increase the cost．To solve this problem，we use another eomplexing agent，and analyze impact of the concentration of complexing agent and the deposition potential．on the films．We compare it with the Potassium hydrogen phthalate and Sulfamic acidc system to analyze the reaction mechanism．We studied