成都半导体照明技术科技计划申报指引.doc

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成都半导体照明技术科技计划申报指引

PAGE PAGE 1 附件三: 成都市“十一五”科技重点项目 “半导体照明(高亮度LED)关键材料与应用产品开发” 申报指南 一、指南说明 本项目拟重点支持三个课题: 课题1:高亮度LED级衬底蓝宝石外延晶圆片 课题2:GaN基白光LED照明灯用稀土荧光粉 课题3:高亮度白光LED照明示范工程 其他与高亮度LED有关的技术及产品 本项目总经费1410万元,其中课题承担单位提供配套经费1190万元,市科技经费220万元(其中08年投入140万元)。 (一)项目背景 随着能源紧张矛盾的日益显现,国家更加突出了节能降耗的宏观政策。开发半导体照明(高亮度LED)及其应用产品,逐步替代现有的传统照明,将是节约能源的有效途径。科技部已经批准上海、大连、南昌、厦门以及深圳作为高亮度LED产业化基地,并在“十一五”期间,把发展高亮度LED作为一个重大工程进行推动。 在高亮度LED的“衬底材料—外延片—芯片—成品封装—应用产品”产业链上,成都具有人才、设备等方面的优势条件,并在衬底材料、器件封装和应用产品的技术开发上积累了一定基础,产业开始呈现新起发展的态势。通过引导关键材料和应用产品开发,将对成都高亮度LED产业的发展起到引领和支撑作用。 (二)总体目标 引导产学研联合,培育成都高亮度LED产业发展,发挥研发和产业化方面积累的基础和优势,加强技术攻关,在材料及应用产品关键技术上取得突破,尽快实现产业化,引导产业集聚,提升招商引资的吸引力,逐步形成较为完整的产业链。 二、指南内容 课题1:高亮度LED衬底蓝宝石外延晶圆片 【研究目标】 衬底材料是高亮度LED不可缺少的基础材料,其质量对GaN薄膜以及制备高亮度LED的性能和成品率有很大的影响。蓝宝石晶体(Al2O3)是能实用化的主要衬底材料之一。开展高亮度LED级蓝宝石外延晶圆片研发,形成稳定的生产工艺,解决国内蓝宝石外延晶圆片长期依靠进口的局面。 【实施年限】 2007年9月至2009年12月 【经费构成】 政府支持50万元,分两年拨付(08年支持30万元,09年支持20万元),课题承担单位提供配套经费不少于480万元。 【资助方式】 偿还性资助 【计划类别】 成都市科技攻关计划 【技术领域】 新材料/光电信息、磁性、纳米等功能材料的关键技术及应用 【主要内容】 (1)进行蓝宝石晶圆棒的加工工艺和将晶圆棒加工成衬底材料晶圆片的工艺流程研发; (2)进行蓝宝石外延晶圆片性能指标检测技术研发,形成稳定的蓝宝石外延晶圆片加工工艺。 【主要考核指标】 (1)蓝宝石外延晶圆片直径:Φ50.8mm±0.1 mm,厚度:0.33±0.025 mm或0.43±0.025 mm,参考面长度:15.5 ±0.5 mm,厚度偏差:≤0.025 mm,弯曲度:≤0.020mm,表面粗糙度:≤0.5nm。 (2)建立年产20万片蓝宝石外延晶圆片加工生产线,达产后年销售收入超过3000万元。 课题2、GaN基白光LED照明灯用稀土荧光粉 【研究目标】 将GaN芯片发出的蓝色光通过荧光粉激发出的黄光,组合转化成白光,是实现高亮度LED白光照明的有效途径之一。实现可将芯片发出的蓝色光转化成高亮度白光的镓铝酸钇荧光晶粒规模化生产,打破国外垄断,为我国高亮度LED照明应用提供有力的保障。 【实施年限】 2007年9月至2008年12月 【经费构成】 政府支持50万元,分两年拨付(08年支持20万元,09年支持30万元),课题承担单位提供配套经费不少于380万元。 【资助方式】 偿还性资助 【计划类别】 成都市科技攻关计划 【技术领域】 新材料/光电信息、磁性、纳米等功能材料的关键技术及应用 【主要内容】 (1)制备将芯片发出的450—480nm蓝色光转化成高亮度白光的镓铝酸钇荧光晶粒,提高镓铝酸钇荧光粉的显色系数、亮度等发光性能; (2)开发批量生产镓铝酸钇荧光晶粒的工艺技术。 【主要考核指标】 (1)将芯片发出的450—480nm蓝色光转化成高亮度白光的镓铝酸钇荧光晶粒,粒度分布:D50 5μm,(D90 -D10)/D50 1.5,封装后白光LED效率100 lm/W,显色指数≥80,白光色温达到3000-8000 K,荧光粉每千小时光衰 5%; (2)形成镓铝酸钇荧光晶粒规模化生产,达产后年产10吨,年销售收入5000--8000 万元。 课题3、高亮度白光LED照明示范工程 【研究目标】 通过示范的辐射和带动效应,推动我市高亮度白光LED在城市景观照明等领域应用。首先突破LED路灯电源驱动器的关键技术,研制具有自主知识产权的电源驱动方法和电路。建设大功率高亮度白光LED的路灯、隧道灯及景观灯集成示范工程,结合长余辉稀土荧光粉标志牌和“太阳能+白光LED光源”的综合应用,打造“城市家俱”景观形象。 【实施年限】

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