F薄膜的制备方上法离子束溅射CVD.pptVIP

三. 离子束制膜法 2. 实验设备： 离子能量：几十～1500ev 3. 优点： ?膜层致密、均匀、减少缺陷 ?提高薄膜性能的稳定性（不易吸附气体 或潮气） ?附着好（界面有膜料粒子渗入） ?可分别独立调节各实验参数、控制生 长，以利研究各条件对膜质量的影响。 4. 原因： ?沉积前，先离子轰击基片——溅射表面吸附的污染物，表面除气及净化。 ?薄膜形成初期，离子轰击使部分膜料原子渗入基片表层，在界面形成中间薄层——增强附着，改善应力。 ?沉积过程中，离子轰击正在形成膜——改善微观结构、膜层更致密。 1.何谓离子束混合？ 在基片表面先沉积一层（膜厚﹤1000 ） 或几层（每层小于150 ）不同物质的膜。（总厚小于 1000 ） 用高能重离子轰击膜层，使膜与基片表面混 合，或多层膜之间混合，形成新的表面材料 层。 2. 对离子束的要求： ?离子能量尽量高（200～300keV以上） ?较高的惰性气体离子，如Ar＋ 3. 特点： ?获得常规冶金方法得不到新材料。 ?比离子注入法更经济 用离子源产生的离子束轰击靶表面，把靶表面的靶原子溅射出来沉积在衬底表面 （一）.直流二极溅射 2.磁控溅射原理： 把磁控原理和二极溅射法相结合，用磁场来改变电子的运