《微电子工艺课件第一章》-课件设计(公开).pptVIP

第一章 硅的晶体结构 1.1 硅晶体结构的特点 1.2 晶向、晶面和堆积模型 1.3 硅晶体中的缺陷 1.4 硅中杂质 1.5 杂质在硅晶体中的溶解度(自学) 二、本征半导体和本征激发 本征半导体：没有杂质和缺陷的半导体。 T=0K时，价带中的全部量子态都被电子占据，而导带中的量 子态都是空的，也就是说，半导体中共价键是饱和的、完整 的。 T＞0K时，就有电子从价带激发到导带，同时价带中产生空 穴，这就是所谓的本征激发。由于电子和空穴成对产生，导 带中的电子浓度n0等于价带中的空穴浓度p0。 三、杂质半导体 掺入杂质的半导体称为杂质半导体。半导体电阻率的大 小与所含杂质浓度密切相关。 杂质原子进入半导体后，有两种方式存在： 一种方式是杂质原子位于晶格原子间的间隙位置，称这种杂质为间隙式杂质。形成该种杂质时，要求其原子比晶格原子小； 另一种方式是杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处，称这种杂质为替位式杂质。形成该种杂质时，要求其原子的大小与被取代的晶格原子的大小比较接近，而且二者的价电子壳层结构也比较接近。 替位式杂质 间隙式杂质 四、施主杂质、施主能级(举例Si中掺P，Si:P) 电离结果：导带中的电子数增加了，这也是掺施主的意义所在 主要依靠导带电子导电的半 导体称为电子型或n型半导体 把被施主杂质束缚的电子的能