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PAGE PAGE 1 半导体器件的型号命名方法汇总 晶体管的命名方法很多，美国编号方法以PN接合面的数量为主线，不易看出其它特性。而欧洲与日本的编号，就比较系统化。国产晶体管的命名则也有自己的个性。下面做个简要叙述。 美国半导体器件的型号命名方法 美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下： 前缀部分：用字母符号表示器件用途的类型、级别。 JAN - 军级 JANTX - 特军级 JANTXV - 超特军级 JANS - 宇航级 （无）- 非军用品。 第一部分：用数字表示PN结数目。 1 - 二极管 2 - 三极管 3 - 三个PN结器件 n -依次类推 第二部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。 用字母“N”表示该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。 第三部分：美国电子工业协会登记顺序号。 多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。 第四部分：用字母表示器件分档。 A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。 如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。 美国半导体器件型号命名及含义 第一部分：类别 第二部分：美国 电子工业协会 （EIA）注册标志 第三部分：美国 电子工业协会 （EIA）登记号 第四部分： 器件规格号 数字 含义 字母 含义 用多位数字表示该器件在美国电子工业协会（EIA）的登记号 用字母A、B、C、D……表示同一型号器件的不同档次 1 二极管 N 该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记 2 晶体管 3 三个PN结器件（如双栅场效应管晶体管） n n个PN结器件 例如： lN 4007 2N 2907 A l--二极管 2--晶体管 N--ElA注册标志 N--ElA注册标志 4007--ElA登记号 2907--ElA登记号 ? A--规格号 日本半导体器件的型号命名方法 日本半导体分立器件的型号命名(JIS-C-7012工业标准) 由五至七部分组成，通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下： 第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。 0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、 1-二极管 2-三极或具有两个PN结的其他器件、 3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件 第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。 S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。 第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。 A-PNP型高频管 B-PNP型低频管 C-NPN型高频管 D-NPN型低频管 F-P控制极可控硅 G-N控制极可控硅 H-N基极单结晶体管 J-P沟道场效应管 K-N沟道场效应管 M-双向可控硅 第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。 两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。 第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。 A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。 日本半导体器件型号命名及含义 第一部分：器件 类型或有效电极数 第二部分：日本 电子工业协会 注册产品 第三部分：类别 表示极性及用途 第四部分： 登记序号 第五部分： 产品 改进序号 数字 含义 字母 字母 含义 用两位以上的整数表示在日本电子工业协会注册登记的顺序号 用字母A、B、C、D……表示 对原来型号的改进 0 光敏二极管、晶体管或其组合管 S 表示已在日本电子工业协会（JEIA）注册的半导体分立器件 表示半导体 A PNP型高频管 B PNP型低频管 C NPN型高频管 D NPN型低频管 1 二极管 F P门极晶闸管 2 晶体管 三极管、FET、SCR、UJT等三极的零件 G N门极晶闸管 3 具有四个有效电极或具有三个PN结的晶体管 H N基极单结晶体管 J P沟道场效应晶管 K N沟道场效应晶体管 M 双向晶闸管 例如： 2SA733（PNP型高频晶体管） 2SC4706（NPN型高频晶体管） 2--晶体管 2--晶体管 S--JEIA注册产品 S--JEIA注册产品 A--PNP型高频管 C--NPN型高频管 733--JEIA登记序号 4706--JEIA登记序号 欧洲半导体器件型号命名方法 欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。 第一部分 O-表示半导体器件 第二部分 A-二极管 C-三极管 AP-光电二极管 CP-光电三极管 AZ-稳压管 RP-光电器件 第三部分： 多位数字-表示器件的登记序号 第四部分 A、B、C┄┄-表示同一型号器件的