纳米级CMOS集成电路的发展状况及辐射效应.pdf

第 14 卷 第 6 期 太赫兹科学与电子信息学报 Vo1．14，No．6 2016 年 12 月 Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology Dec．，2016 文章编号：2095-4980(2016)06-0953-08 纳米级 CMOS 集成电路的发展状况及辐射效应 刘忠立 a,b ( 中国科学院 a.微电子研究所，北京 100029 ；b.半导体研究所，北京 100083) 摘 要 ：介绍互补金属氧化物半导体(CMOS) 集成电路的发展历程及纳米级 CMOS 集成电路的关 键技术，在此基础上研究了纳米级 CMOS