单晶生长方提法介绍.pptVIP

3、物料熔融 将装料的坩埚（或料罐）在温度场中加热直至熔融 加热方式：电阻加热、感应加热 电阻加热法：用石墨、钨等对盛有原材料的坩埚加热，也可以做成复杂的加热器，起到盛料和加热的两个目的。该法特点是成本低、可以使用大电流、低电压电源。 感应加热法：利用中频或高频交流电通过线圈时产生的交流电磁场，置于线圈内的铱（ Ir）或白金（ Pt）坩埚中产生涡流发热，从而融化坩埚内的原材料。特点是可提供较干净的生长环境，能快速改变参数而进行精密控制，但成本费用高。 坩埚：常用材料有铂、铱、钼、石英等。 坩埚材料要满足： 1、能承受所需的工作温度，熔点比工作温度高出 200℃ 2、不污染熔体，不与生长气氛和周围的绝缘材料反应 3、有良好的抗热震和机械加工性能 后热器 走在坩埚上方，晶体生长出来后要经过后热器，作用是调节晶体和熔体中的温度差异，一般用氧化锆做成圆筒。 4、下籽晶 物料熔融后，保温一段时间，使其充分均匀，然后缓慢降温， 在熔点附近开始下籽晶，待籽晶边缘微溶时，继续按一定速度 降温（称为“接晶”），晶体将根据籽晶的方向和晶格排列生长。 5、提拉生长单晶 晶体一定的速度转动并得以提拉。 转动作用：搅拌熔体，产生强制对流 转动速率对生长过程的影响： 增加温场的径向对称性。 改变界面的形状。 改变界面附近的温度梯度。在自然对流占优势的范